IGBT模块水基清洗工艺介绍

为了解决产业发展、补齐技术短板、实现进口替代、降低生产成本等等需求，满足新能源、光伏储能、轨道交通、充电桩、工业控制、变配电等领域的应用，IGBT模块成为目前半导体封装范筹中的市场热点。

近几年，终端应用带动IGBT模块国内产业形势的快速发展，众多企业涌入其中，虽然IGBT模块在不同的应用领域有不同个性化的技术要求，但对于IGBT模块生产制程工艺层面，基本上能维持许多相同的技术要求和标准，只是方法、路径、方式各不相同，综合诸多影响因素，各家企业根据各自的状况做出符合个自发展需要的选择。

IGBT模块的工艺制程中必然不可缺少制程工艺清洗，以各种工艺方式不同选择包括溶剂清洗、半水基清洗、水基清洗、双溶剂清洗等等，IGBT模块清洗目的是去除焊剂残留物及附着的各种有机物和无机污染物，去除金属表面、芯片表面氧化层，保证表面的洁净度和低氧化状态，为后续工艺邦定打下良好的表面基础，提高邦定可靠性。

IGBT模块水基清洗的技术要点

• 清洗干净

对高密度、小间隙的芯片焊接和烧结污染物清洗干净，避免残留物引起氧化、腐蚀、短路、漏电等风险，保障IGBT的高寿命要求。

• 去氧化

去除表面氧化及延缓二次自然氧化，保持去氧化状态3-5天，保障键合点在后续的引线键合或引脚连接的键合良率。

• 兼容性

通过极限条件去验证对敏感金属、功能材料、设备材料的兼容性。

IGBT模块在清洗制程中建议采用在线通过式水基清洗工艺实现规模化生产，IGBT模块清洗材料推荐 水基清洗剂W3000系列。

IGBT模块在线通过式喷淋水基清洗工艺制程优势

1、产品品质可靠，工艺稳定，一致性好。

2、全制程安全环保。

3、运行成本较低。

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