WLP晶圆级封装VS传统封装、芯片封装清洗

一、WLP晶圆级封装VS传统封装

在传统晶圆封装中，是将成品晶圆切割成单个芯片，然后再进行黏合封装。不同于传统封装工艺，晶圆级封装是在芯片还在晶圆上的时候就对芯片进行封装，保护层可以黏接在晶圆的顶部或底部，然后连接电路，再将晶圆切成单个芯片。

在传统晶圆封装中，是将成品晶圆切割成单个芯片，然后再进行黏合封装。而晶圆级封装（WLP）是在芯片还在晶圆上的时候就对芯片进行封装，保护层可以黏接在晶圆的顶部或底部，然后连接电路，再将晶圆切成单个芯片。

相比于传统封装，晶圆级封装具有以下优点：

1. 封装尺寸小：由于没有引线、键合和塑胶工艺，封装无需向芯片外扩展，使得 WLP 的封装尺寸几乎等于芯片尺寸。

2. 高传输速度：与传统金属引线产品相比，WLP 一般有较短的连接线路，在高效能要求如高频下，会有较好的表现。

3. 高密度连接：WLP 可运用数组式连接，芯片和电路板之间连接不限制于芯片四周，提高单位面积的连接密度。

4. 生产周期短：WLP 从芯片制造到、封装到成品的整个过程中，中间环节大大减少，生产效率高，周期缩短很多。

5. 工艺成本低：WLP 是在硅片层面上完成封装测试的，以批量化的生产方式达到成本最小化的目标。WLP 的成本取决于每个硅片上合格芯片的数量，芯片设计尺寸减小和硅片尺寸增大的发展趋势使得单个器件封装的成本相应地减少。WLP 可充分利用晶圆制造设备，生产设施费用低。

晶圆级封装的工艺流程

先进芯片封装清洗介绍

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。