英特尔Foveros互连技术详细介绍

1. Foveros技术概述

Foveros是英特尔开发的一种先进的封装技术，它的主要特点是能够实现芯片的3D堆叠，从而在垂直方向上集成多个功能模块。这种技术的出现主要是为了解决随着芯片功能日益复杂，单片式系统级芯片（SoC）的设计和制造难度不断增加，成本也随之上升的问题。Foveros技术通过高密度、高带宽、低功耗的互连，使得采用不同制程工艺制造的多个模组可以组合成一个大型的分离式模块架构组成的芯片复合体。

2. Foveros技术的工作原理

Foveros技术的工作原理相对复杂，它涉及到芯片的切割、分选、测试、组装等多个步骤。首先，从晶圆厂收到的内部和外部代工厂的晶圆会被切割成单个芯片。然后，这些芯片会经过分选和Diet测试，以确保只有高质量的芯片才能进入Foveros组装阶段。接下来，这些高质量的芯片会在基板晶圆上进行组装，形成一个由多个模块组成的芯片复合体。最后，这个芯片复合体会在BGA基板面上进行封装组装。

3. Foveros技术的优势

Foveros技术的主要优势在于它能够实现芯片的3D堆叠，从而在垂直方向上集成多个功能模块。这种技术可以大大提高芯片的集成度，使得在一个单一的封装中可以集成更多的功能单元。此外，Foveros技术还可以满足不同供应商、不同工艺打造的芯粒（Chiplet）的异构集成需求，使得这些不同的芯粒可以更好地协同工作，提高灵活性和性能，降低成本和功耗。

4. Foveros技术的应用

Foveros技术最早被应用于Lakefield处理器，目前已经被广泛应用于各类产品中，例如PonteVecchio GPU加速器就是使用了Foveros技术。此外，Foveros技术也被应用于Meteor Lake芯片，这款芯片是首款采用Intel 4制程工艺打造的计算模块，它包含了提供大电容的图形模块、使用Foveros 36x间距晶片间互连的SoC模块以及采用Intel 4制程工艺打造的计算模块。

5. Foveros技术的发展历程

Foveros技术的发展历程可以追溯到2018年，当时英特尔首次公开介绍了这项技术。随后在2019年，英特尔在Computex展会上展示了采用Foveros技术的Lakefield处理器。到了2020年，英特尔宣布将在未来的Meteor Lake芯片中采用Foveros技术。而在2023年，英特尔在ON技术创新峰会上正式推出了采用Foveros技术的Meteor Lake芯片。

6. Foveros技术的未来展望

Foveros技术的未来展望非常广阔，英特尔计划在未来几年内进一步优化和发展这项技术。例如，英特尔正在开发下一代的Foveros Omni技术，这种技术可以实现垂直层面上大芯片、小芯片组合的互连，并将凸点间距继续缩小到25微米。此外，英特尔还在开发Foveros Direct技术，这种技术使用铜与铜的混合键合，取代会影响数据传输速度的焊接，把凸点间距继续缩小到10微米以下，从而大幅提高芯片互连密度和带宽，并降低电阻。

先进芯片封装清洗介绍

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

总结

总的来说，Foveros技术是英特尔的一项重要创新，它通过3D堆叠的方式大大提高了芯片的集成度和性能，同时也降低了成本和功耗。随着这项技术的不断发展，我们有理由相信它将在未来的芯片设计中发挥越来越重要的作用。