功率器件几大技术路线分析

线宽、器件结构、工艺进步、材料迭代

功率器件技术的发展包含了多个技术路径，主要包括线宽、器件结构、工艺进步、材料迭代等方面。这些技术路径共同推动着功率器件向着更高的功率密度、更低的功耗与成本以及多功能集成的方向发展。例如，第三代半导体材料的引入和集成化趋势的加强，都是功率器件技术进步的重要体现。

SiC、Si、蓝宝石衬底

功率GaN器件的衬底主要有SiC、Si、蓝宝石这三种。GaNonSiC主要在射频领域用于功率放大器，GaNonSapphire则主要用于LED领域。这些不同的衬底材料为功率器件提供了多样化的技术路线，以适应不同的应用需求。

平面型和垂直型结构

垂直GaN中“垂直”是指器件的结构，简单可以理解为器件中阳极和阴极相对的位置。目前大多数硅基GaN器件是平面型结构，即阳极和阴极处于芯片同一平面上，导通电流在器件中横向流动；而垂直型GaN一般是基于GaN衬底，GaN衬底底面为阴极，阳极则位于上方，导通电流是竖向流动。垂直结构能够更容易产生雪崩效应，这是一种设备自我保护的重要属性，如果器件两端电压或导通的电流出现峰值，拥有雪崩特性的器件就可以吸收这些电涌并保持正常运行，在工业领域有很大的应用空间。

D-Mode和E-Mode器件

D-ModeGaN器件在没有施加门极电压时，器件处于导通状态，需要施加负向门极电压来关闭器件。这种器件具有较好的线性特性和较低的开关损耗，适用于一些需要高精度控制和低噪声的应用，比如音频放大器、射频功率放大器等。而E-ModeGaN器件则相反，它们在没有施加门极电压时处于关闭状态，需要正向门极电压来开启器件。E-Mode器件通常不需要Cascode结构，封装复杂度较低，开关频率也因此不受限制，适用于更广泛的功率变换应用。

结论

综上所述，功率器件技术路线的多样化为不同应用场景提供了丰富的选择。从材料到结构，再到工艺的进步，每一项技术的发展都在不断提升功率器件的性能和应用范围。随着技术的不断进步，我们可以期待功率器件在未来能够更好地满足各种电子装置的需求。

功率器件芯片清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。