因为专业
所以领先
近年来,半导体制造技术国产化呈现出积极发展的态势。一方面,在政策的大力支持下,我国半导体产业发展环境不断优化。例如“十三五”规划明确提出要推进包括CMP设备在内的集成电路专用设备关键核心技术的突破和应用,这为半导体制造技术国产化提供了政策导向和支持。另一方面,市场需求的增长也推动着国产化进程。中国大陆有着全球最大的芯片市场和半导体设备市场,这为本土半导体制造技术的发展提供了广阔的空间和动力。
部分设备取得进展
在刻蚀设备方面,国产化率低于30%,但国内企业在不断加大研发投入,一些企业如中微公司等在刻蚀技术上已经取得了一定的成果,其产品在国内市场中也开始占据一定份额,并且技术水平不断提升,逐步实现对国外同类产品的替代,尤其在一些特定的刻蚀工艺上已经能够满足国内晶圆厂的部分需求。
清洗设备的国产化率高于30%,国内企业在清洗设备技术上相对成熟,能够提供多种清洗工艺的设备,满足国内半导体制造企业的部分清洗需求,在国内市场中具有一定的竞争力,并且随着技术的进一步发展,清洗设备的国产化程度有望继续提高。
仍面临挑战的设备领域
光刻设备是半导体制造的核心设备之一,然而我国在光刻技术方面与国际先进水平存在较大差距。目前国内最先进的光刻机是上海微电子装备的90纳米工艺光刻机,而世界领先水平是荷兰ASML的5纳米工艺极紫外光刻机(EUV),差距在10代以上。光刻设备技术难度极高,涉及到光学、精密机械、电子等多个领域的尖端技术,国内在光源系统、镜头制造等关键技术上还面临诸多技术瓶颈需要突破。
薄膜沉积设备国产化率低于20%,其中CVD设备国产化率为5% - 10%,PVD设备国产化率在10%左右。薄膜沉积设备对于制造高质量的半导体薄膜层至关重要,国内企业在薄膜沉积设备的工艺稳定性、沉积速率、薄膜均匀性等方面还需要进一步提升技术水平,以满足先进半导体制造工艺的要求。
基础材料部分实现国产化
在硅晶圆方面,我国已经有企业在大硅片材料上进行国产化探索并取得了一定成果。例如立昂微承担了多项国家重大科研项目,成功实现半导体硅片产业化,并形成量产规模,有效提升了我国大硅片材料自主供应能力,缓解了国内半导体大硅片的短缺问题,但全球半导体硅片尤其是大尺寸硅片90%以上的市场份额仍被海外企业所垄断。
在一些特种化学品如研磨液、清洗液等方面,国内企业通过自主研发也取得了进展。部分企业建立了产学研研发平台,投入大量的人力和时间进行研发,例如有的企业研发团队由三个博士带领五个研究生和五个硕士,经过三年的研发攻破了研磨液的关键技术问题,能够为半导体制造过程中的硅片研磨等环节提供材料支持,但整体来看,半导体材料领域日本、美国和德国等国家的企业仍占据90%左右的市场份额,我国在材料领域的国产化还有很长的路要走。
高端材料依赖进口情况仍较严重
在光刻胶等高端半导体材料方面,我国仍然高度依赖进口。光刻胶是光刻工艺中的关键材料,其性能直接影响芯片的分辨率、精度等关键指标。由于光刻胶的研发和生产需要高精度的化学合成技术和严格的生产环境控制,国内企业在光刻胶的研发和生产上还处于起步阶段,无法满足国内半导体制造企业对于高端光刻胶的需求。
中国在封装测试领域处于世界领先地位,占据了全球市场份额的40%左右。国内拥有一些具有国际影响力的封测企业,如长电科技、晶方科技、华天科技等,其产品涵盖了从传统封装到先进封装的各种类型。在先进封装技术方面,国内企业也在不断探索和发展,例如触点智能在半导体芯片与模组精密封装设备领域研发的产品实现三项全国第一:国内首家量产CMOS固晶机、国内首家量产COB整线、国内首家超薄叠Die固晶机,为我国半导体封装设备产业从产业价值链低端向上爬升做出了贡献。
半导体封装清洗剂W3100介绍
半导体封装清洗剂W3100是 开发具有创新型的中性水基清洗剂,专门设计用于浸没式的清洗工艺。适用于清洗去除半导体电子器件上的助焊剂残留物,如引线框架、分立器件、功率模块、倒装芯片、摄像头模组等。本品是PH中性的水基清洗剂,因此具有良好的材料兼容性。
半导体封装清洗剂W3100的产品特点:
1、本品可以用去离子水稀释后使用,稀释后为均匀单相液,应用过程简单方便。
2、产品PH值呈中性,对铝、铜、镍、塑料、标签等敏感材料上显示出极好的材料兼容性。
3、不含卤素,材料环保;气味清淡,使用液无闪点,使用安全,不需要额外的防爆措施。
4、由于PH中性,减轻污水处理难度。
半导体封装清洗剂W3100的适用工艺:
水基清洗剂W3100适用于浸没式的清洗工艺。
半导体封装清洗剂W3100产品应用:
水基清洗剂W3100是 开发具有创新型的中性水基清洗剂,适用于清洗去除半导体电子器件上的助焊剂残留物,如引线框架清洗、分立器件清洗、功率模块清洗、倒装芯片清洗、摄像头模组清洗等。本产品PH值呈中性,对铝、铜、镍、塑料、标签等敏感材料上显示出极好的材料兼容性。