集成电路封装技术发展历程

通孔插装阶段（20世纪70年代以前）

通孔插装阶段以双列直插封装（DIP）为代表，DIP适合在印刷电路板上穿孔焊接，操作方便。然而，由于芯片面积和封装面积之比相差大，导致封装完成后体积较大，因此在无法满足小型化等要求的情况下逐步被淘汰。

表面贴装阶段（20世纪80年代）

20世纪80年代是表面贴装时代，以薄型小尺寸封装技术（TSOP）为代表，到目前为止依然保留着内存封装的主流地位。改进的TSOP技术依然被部分内存制造商所采用。

面积阵列封装阶段（20世纪90年代）

20世纪90年代出现了跨越式发展，进入了面积阵列封装时代，该阶段出现了球栅阵列封装（BGA）为代表的先进封装技术，这种技术在缩减体积的同时提高了系统性能。其次还有芯片尺寸封装（CSP）、无引线四边扁平封装（PQFN）、多芯片组件（MCM）。BGA技术的成功开发，让一直落后于芯片发展的封装终于追上了芯片发展的步伐，CSP技术解决了长期存在的芯片小，封装大的矛盾，引发了集成电路封装领域的技术革命。

三维封装、系统级封装阶段（进入21世纪）

进入21世纪，封装技术迎来了三维封装、系统级封装的时代。它在封装观念上发生了革命性的变化，从原来的封装元件概念演变成封装系统，主要有系统级芯片封装（SoC）、微机电系统封装（MEMS）。

发展趋势

集成电路封装技术发展已经进入到先进封装技术时代，未来集成电路封装技术的发展主要呈现三大趋势：

1. 功能多样化：封装对象从最初的单裸片向多裸片发展，一个芯片封装下可能有多种不同功能的裸片。

2. 连接多样化：封装下的内部互连技术不断多样化，从凸块（Bumping）到嵌入式互连，连接的密度不断提升。

3. 堆叠多样化：器件排列已经从平面逐渐走向立体，通过组合不同的互连方式构建丰富的堆叠拓扑。

以上就是集成电路封装技术的发展历程及其未来趋势的详细介绍。

芯片封装清洗介绍

·          研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

·         水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

·         污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

·         这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

·          运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。