因为专业
所以领先
低杂散电感封装技术
翻转贴片封装:采用BGA结构,消除键合线,体积缩小14倍,导通电阻降低24%。
DBC+PCB混合封装:利用PCB层间布线控制电流路径,杂散电感<5nH,体积减少40%。
柔性PCB与烧结银结合:如Semikron的SKiN封装,杂散电感仅1.5nH,损耗降低50%。
技术特点:通过优化电流回路路径,降低寄生电感(<5nH),减少开关损耗和电磁干扰。典型技术包括:
高温封装技术
材料创新:采用AlN(热导率320W/mK)或Si3N4陶瓷基板,匹配SiC芯片热膨胀系数,耐温达300℃。
工艺突破:活性金属钎焊(AMB)技术实现陶瓷与金属的化学键合,提升高温可靠性。
银烧结技术
优势:相比传统焊料,热阻降低28%,工作温度提升至200℃以上,寿命提高5-10倍。
应用案例:英飞凌Easypack1、三菱电机模块均采用双面银烧结,可靠性提升显著。
双面散热与集成封装
双面散热技术:通过上下DBC板对称布线,热阻降低38%,杂散电感<3nH,适用于电动汽车IGBT模块。
3D集成封装:堆叠芯片实现高密度集成,减少互连长度,提升功率密度。
电动汽车领域
需求驱动:SiC模块可提升电驱系统效率8%-10%,支持800V高压平台和超快充技术。封装技术需解决高功率密度(>50kW/L)、双面散热及高温循环(-40℃~200℃)挑战。
典型案例:特斯拉Model 3采用SiC逆变器,体积缩小40%,续航提升6%。
可再生能源与智能电网
光伏逆变器:SiC模块可将转换效率从96%提升至99%,系统体积减少30%。
风电变流器:高温(150℃)环境下,SiC封装需结合AlN基板和银烧结技术,确保长期可靠性。
航空航天与工业领域
极端环境应用:SiC模块在航空电源系统中耐受300℃高温,封装需采用Si3N4陶瓷和无铅烧结工艺。
工业电机驱动:SiC封装技术可将电机效率提升5%,支持高频化(>100kHz)控制。
新兴市场拓展
5G基站电源:SiC模块体积缩小50%,功耗降低30%,封装需集成散热与电磁屏蔽。
充电桩:800V超充桩需SiC模块支持200kW以上功率密度,封装技术需优化热应力管理。
现存挑战
多物理场耦合:高频开关(>1MHz)与高热流密度(>100W/cm²)导致电磁-热-机械应力耦合失效。
成本与工艺瓶颈:银烧结成本高(纳米银价格是焊料的10倍),低温无压烧结工艺需进一步优化。
未来趋势
集成化:SiC模块向功率-控制集成(如SiC MOSFET+驱动IC)发展,封装需支持异质集成。
智能化:嵌入式传感器监测封装层应力与温度,实现预测性维护。
标准化:推动封装材料(如AMB基板)和工艺(如双面银烧结)的行业标准,降低量产成本。
SiC功率芯片封装技术是释放器件性能的核心环节,其发展需围绕低杂散电感、高温可靠性、银烧结工艺等方向突破。未来,随着电动汽车、可再生能源和工业4.0的加速渗透,SiC封装技术将向高集成度、智能化和低成本方向演进,成为下一代电力电子系统的关键支撑。
SiC功率芯片清洗剂选择:
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。
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