GJB4027《军用电子元器件破坏性物理分析方法》标准解析

 GJB4027《军用电子元器件破坏性物理分析方法》标准解析

GJB4027《军用电子元器件破坏性物理分析方法》本标准规定了军用电子元器件破坏性物理分析(DPA)的通用方法，包括DPA程序的一般要求、管理要求以及典型电子元器件DPA试验与分析的详细要求和缺陷判据。标准适用于有DPA要求的军用电子元器件。

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一、起草单位的变化  

GJB4027A-2006的起草单位：信息产业部电子第四研究所、信息产业部电子第五研究所、北京航空航天大学、航天科技集团公司第一研究院物流中心、航天科技集团公司第五研究院元器件可靠性中心、西安电子科技大学。

GJB4027B-2021的起草单位：工业和信息花部电子第四研究院，工业和信息化部电子第五研究所，北京航空航天大学，中国航天科技集团有限公司第一研究院物流心，中国航天科技集团有限公司第五研究院元器件可靠性中心。

二、标准的主要内容变化

GJB4027A-2006与GJB4027-2000相比主要变化如下：

（1）本标准在第5 章中增加了专用射频元件，熔断器，加热器三个大项。同时在光电器件、电连接器、线圈和变压器、石英晶体和压电元件和集成电路门类中增加了光电混合集成电路、电连接器接触件、印刷片式电感器、晶体振荡器和塑封半导体集成电路子门类。此外，将半导体分立器件的“无键合引线二极管”、“晶体管和有键合引线二极管”两类改为“无键合引线轴向引线玻璃外壳和玻璃钝化封装二极管”、“无键合引线螺安装和轴向引线金属外壳二极管”、“表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管”共三类。

（2）将GJB4027-2000《军用电子元器件破坏性物理分方法》中的1.3条应用指南调整到本标准的4.6条，对标准的引用、剪裁提供了指导。

（3）对引用的通用规范版本进行了更新。

（4）对标准中的相关技术内容进行了修订。

GJB4027B-2021与GJB4027A-2006相比主要变化如下：

（1）在半导体分立器件、集成电路和熔断器门类中增加了有键合丝塑封半导体分立器件、倒装焊半导体集成电路和膜式表面安装型熔断器子门类。

（2）在每个工作项目程序的外部目检后增加封装表面镀涂材料分析，在每个工作项目的检查程序最后增加结构基线(适用时)。

（3）增加附录 A，将GB4027A-2006中4.2.7的DPA数据记录中DPA报告摘要表、DPA项目结果汇总表和DPA 试验记录表调整至附录A。增加附录B，封装表面镀涂材料分析方法。

（4）将“无键合丝玻璃外壳、玻璃钝化二极管”改为“无键合丝玻璃外壳、玻璃钝化和塑料封装二极管”。

三、工作项目的变化

（1）GJB4027-2000包括13大类37小类

（2）GJB4027A-2006包括16大类49小类

（3）GJB4027B-2021包括16大类52小类

四 、封装表面镀涂材料分析要求

GJB4027B-2021附录B规定了对元器件内部和外部的封装材料进行禁用材料分析的详细要求。分析的目的是验证合金和镀层至少含有 3%(重量百分比)的铅，和锌表面镀覆及和锌合金的电镀层是否能够防止锌升华。附录B给出了两种分析方法：X射线荧光光谱法（XRF）、扫描电镜能谱分析法（SEM-EDS），规定了设备测量铅锡合金和电镀层中铅含量的仪器、技术、判据和标准。

五、总结

（1）GJB4027B-2021标准中部分试验和方法标准未引用最新发布的版本，如引用的GJB548还是2005年的B版，未引用同样是2021年发布的C版，新旧版本标准在判据或程序等方面的差异，在试验执行过程中可能会产生争议。

（2）增加了塑封半导体分立器件工作项目，开展塑封半导体分立器件DPA有了依据。

（3）增加了倒装焊半导体集成电路工作项目，开展倒装焊半导体集成电路DPA有了依据。

（4）密封半导体集成电路、塑封半导体集成电路和倒装焊半导体集成电路在外部目检中对引出端增加了焊球/焊柱的检查，终于跟上了集成电路发展趋势。

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