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作为第三代半导体材料的代表,相较于硅,碳化硅具有禁带宽度更大(是硅的3倍)、热导率更高(是硅的 4-5 倍)、击穿电压更大(是硅的 8- 10 倍)等优势。
图表 52:碳化硅性能优势
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管(主要是肖特基势垒二极管 SBD 等)、碳化硅晶体管(主要是碳化硅 BJT、MOSFET 等)以及碳化硅功率模块等。碳化硅功率器件具有耐高压、大电流、耐高温、高频、高功率和低损耗等众多优点,广泛应用于电动汽车及充电桩、光伏、电网、轨道交通和储能等领域。
据 Yole 数据,碳化硅功率器件 2021 年全球市场规模 10.9 亿美金。预计到 2027年将达到 62.97 亿美金,2021-2027 CAGR 达 34%。发展势头强劲,未来市场空间可观。
图表 54:碳化硅功率半导体器件市场规模预测 2021-2027E
全球各国对碳化硅投资热度不减,目前碳化硅器件市场龙头依然以海外企业为主,国内90%需求依赖进口。我国碳化硅产业链布局相对完整,部分头部企业技术实力不可小觑,在半绝缘衬底、外延片、射频器件和碳化硅器件均已量产并批量供货。
碳化硅性能优于 IGBT,两者在多个领域或存在应用重叠。从成本变化和晶圆尺寸发展趋势分析:
碳化硅与 IGBT 成本比较。目前碳化硅功率器件由于技术和工艺尚不成熟、衬底良率低以及尚未规模化应用等因素,导致当前碳化硅成本居高不下。同等规格、满足同个终端应用需求的碳化硅 MOSFET 的价格是 IGBT 的 2.5-3 倍。而硅基 IGBT 技术成熟,规模化效应已经显现,成本下探空间有限。随着上述对碳化硅成本不利因素日渐改善,其价格有望逐年下调。对于长续航电动汽车,当前碳化硅功率器件的应用带来的其他周边零部件的降本,或将进一步缩小、或打平与选用IGBT带来的价格差。
图表 56:碳化硅功率半导体器件成本变化趋势
碳化硅晶圆制造。目前已量产碳化硅衬底多是基于 2 英寸、4 英寸和 6 英寸晶圆制造,其中 6 英寸逐渐将成为主流。据 NE 时代数据,安森美 8 英寸衬底于 2021 年已经投产。未来,随着 8 英寸晶圆的衬底逐步量产,单片晶圆产量提升,相比 4 英寸和 6 英寸晶圆,理论上碳化硅器件价格或将会有所下调。
当前碳化硅 MOSFET 主要应用于一些中高端场景,这些应用往往追求更高的性能表现。如售价 30 万以上的中高端智能电动汽车,其对续航、瞬间加速以及充电时间有着更高要求,通常其主逆变器中会采用碳化硅方案。短时间内,IGBT 或依然是市场主流。长期来看,碳化硅 MOSFET 和 IGBT 市场需求或达到一个相对平衡,两者将共存以供不同应用场景所使用。
功率器件IGBT清洗:
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