先进封装平台5种热门封装方式强力介绍与芯片封装清洗浅谈

发布时间：2023-10-18 👁 2585 Tags：堆叠封装系统级封装 FO封装

一、FO 封装

FO封装包括三大类：核心扇出型（core fan-out）、高密度扇出型（high-density fan-out）和超高密度FO型（ultra highdensity FO）。核心扇出封装消除了对引线键合或倒装芯片互连的需求，从而提供了改进的 I/O 密度、增强的电气性能和高效的热管理；高密度 (HD) FO 进一步采用了相同的概念，采用先进的重新分布层 (RDL) 和互连结构来实现更高的 I/O 密度；超高密度 (UHD) FO 使用更细间距和更高密度的多层 RDL，以在紧凑封装内提高组件集成度、更大带宽和高级功能。UHD FO 通常应用于较大的封装和多芯片集成，使用 IC 基板来弥合扇出封装和印刷电路板 (PCB) 之间的间隙。

二、晶圆级芯片级封装 (WLCSP)

WLCSP 涉及将 IC 直接封装在晶圆上，从而消除了单独的芯片分割和封装步骤。WLCSP 具有紧凑的外形尺寸、增强的电气性能和成本效率，使其成为尺寸、重量和性能至关重要的移动设备和可穿戴设备的理想选择。

三、fcBGA/CSP

这些技术涉及使用焊料微凸块或铜柱将 IC 正面朝下直接安装到有机基板上。与传统引线键合技术相比，倒装芯片 BGA/CSP 解决方案提供更小的占地面积、更短的互连路径、更高的 I/O 密度以及更高的电气性能。这些特性对于服务器、游戏机和网络设备等 HPC 应用尤其重要。

四、2.5D/3D堆叠封装

2.5D/3D 堆叠封装涉及垂直堆叠多个裸片或芯片，形成三维结构。该平台可实现更高的集成度、更高的性能和更小的外形尺寸，使其成为应对人工智能、5G 和 HPC 应用挑战的重要技术。2.5D/3D 堆叠封装中的具体应用包括使用混合键合技术的 CIS、用于更快数据访问和改进内存带宽的 HBM、用于高度集成系统的 3D-SoC 以及用于提高存储密度和容量的 3D NAND。

五、系统级封装 (SiP)

SiP 是一种将多个 IC 或“小芯片”集成到单个模块中的 AP 类型。这些小芯片可以包括各种组件，例如处理器、存储器、射频 (RF) 收发器和电源管理 IC 在封装内互连。这种高集成度允许将完整的功能系统包含在单个封装内，使 SiP 成为节省空间的解决方案，非常适合外形尺寸和集成度至关重要的应用，例如移动设备和可穿戴设备。SiP 还在设计和制造方面提供了显着的灵活性，因为每个小芯片都可以使用最适合其功能的工艺技术来制造。

六、先进芯片封装清洗：

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用水基清洗剂产品。

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