IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。
IGBT 主要用于放大器,用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。
你可以看到输入侧代表具有栅极端子的 MOS管,输出侧代表具有集电极和发射极的 BJT。
集电极和发射极是导通端子,栅极是控制开关操作的控制端子。
IGBT的电路符号与等效电路图
IGBT 的特性--静态 VI 特性
下图显示了 n 沟道 IGBT 的静态 VI 特性以及标有参数的电路图,该图与 BJT 的图相似,只是图中保持恒定的参数是 VGE,因为 IGBT 是电压控制器件,而 BJT 是电流控制器件。
IGBT的静态特性图
当 IGBT 处于关闭模式时(VCE为正且 VGE < VGET),反向电压被 J 2 阻断,当它被反向偏置时,即 VCE为负,J 1 阻断电压。IGBT的等效电路
IGBT的近似等效电路由 MOS 管和 PNP 晶体管(Q1 )组成,考虑到 n- 漂移区提供的电阻,电阻 Rd已包含在电路中,如下图所示:
IGBT 的近似等效电路
仔细检查 IGBT 的基本结构,可以得出这个等效电路,基本结构如下图所示。等效电路图的基本结构
穿通 IGBT、PT-IGBT:穿通 IGBT、PT-IGBT 在发射极接触处具有 N+ 区。观察上面显示 IGBT 的基本结构,可以看到到从集电极到发射极存在另一条路径,这条路径是集电极、p+、n- 、 p(n 通道)、n+ 和发射极。因此,在 IGBT 结构中存在另一个晶体管 Q2作为 n – pn+,因此,我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管 Q2以获得精确的等效电路。IGBT的精确等效电路图
该电路中的 Rby 是 p 区对空穴电流的流动提供的电阻。众所周知,IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合,它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构,因此也可以加入漂移区的电阻。车规级IGBT芯片封装清洗:
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污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
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