因为专业

所以领先

客服热线
136-9170-9838
[→] 立即咨询
关闭 [x]
行业动态 行业动态
行业动态
了解行业动态和技术应用

IGBT 的特性和IGBT的等效电路、IGBT清洗介绍

👁 2402 Tags:IGBT 的特性IGBT的等效电路IGBT清洗介绍


IGBT 是绝缘栅双极晶体管的简称,是一种三端半导体开关器件,可用于多种电子设备中的高效快速开关。


IGBT 主要用于放大器,用于通过脉冲宽度调制 (PWM) 切换/处理复杂的波形。


你可以看到输入侧代表具有栅极端子的 MOS管,输出侧代表具有集电极和发射极的 BJT。


集电极和发射极是导通端子,栅极是控制开关操作的控制端子。


image.png

IGBT的电路符号与等效电路图


IGBT 的特性--静态 VI 特性

下图显示了 n 沟道 IGBT 的静态 VI 特性以及标有参数的电路图,该图与 BJT 的图相似,只是图中保持恒定的参数是 VGE,因为 IGBT 是电压控制器件,而 BJT 是电流控制器件。

image.png

IGBT的静态特性图

当 IGBT 处于关闭模式时(VCE为正且 VGE < VGET),反向电压被 J 2 阻断,当它被反向偏置时,即 VCE为负,J 1 阻断电压。

IGBT的等效电路

IGBT的近似等效电路由 MOS 管和 PNP 晶体管(Q1 )组成,考虑到 n- 漂移区提供的电阻,电阻 Rd已包含在电路中,如下图所示:

image.png

IGBT 的近似等效电路

仔细检查 IGBT 的基本结构,可以得出这个等效电路,基本结构如下图所示。

image.png

等效电路图的基本结构

穿通 IGBT、PT-IGBT:穿通 IGBT、PT-IGBT 在发射极接触处具有 N+ 区。
观察上面显示 IGBT 的基本结构,可以看到到从集电极到发射极存在另一条路径,这条路径是集电极、p+、n- 、 p(n 通道)、n+ 和发射极。
因此,在 IGBT 结构中存在另一个晶体管 Q2作为 n – pn+,因此,我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管 Q2以获得精确的等效电路。
IGBT 的精确等效电路如下所示:

image.png

IGBT的精确等效电路图

该电路中的 Rby 是 p 区对空穴电流的流动提供的电阻。
众所周知,IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合,它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构,因此也可以加入漂移区的电阻。

车规级IGBT芯片封装清洗:

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。


[图标] 联系我们
[↑]
申请
[x]
*
*
标有 * 的为必填
Baidu
map