先进封装混合键合革命

混合键合革命

混合键合此前在业界通常被称为DBI（Direct Bond Interconnect，直接键合），20世纪80年代中期，Paul Enquist，Q.Y. Tong和Gill Fountain在三角研究所（RTI）的实验室首次提出了这一技术，2000年，三人成立了Ziptronix公司，并于2005年推出了一种称为低温直接键合互连 (DBI) 的技术，这是混合键合的第一个版本。

它验证了低温直接键合（Direct Bond Interconnection, DBI）的可行性，首先准备好晶片具有SiO 2（介电材料）与铜（接点金属），此时铜部分将会有点略低于介电材料厚度，利用电浆（Plasma）做表面活化处理，将晶片面对面在室温下进行对位接合，由于凡德瓦力作用已具有一定的接合强度，接着在100℃ 下持温让SiO 2与SiO 2之间进行缩合反应，形成强力共价键提高接合强度 。接着再将温度提高到300℃ 至400℃ 持温，此时由于铜金属的热膨胀系数较SiO 2来的大，铜表面将会碰触在一起，并自然受到一压应力，促使铜接点进行扩散接合。

目前铜─铜混合键合主要分为了三种方式，分别为最常见的晶圆到晶圆（W2W）工艺，芯片到晶圆（D2W）和芯片到晶圆（C2W）工艺，后两种工艺目前还在研发当中。

其中，W2W 虽然已经实现量产，但它对于上下芯片的大小限制须为一样大小，否则将有区域浪费；D2W是将切割好的Die用临时键合的方式粘到晶圆上，然后整片地和另一片产品晶圆整片键合再解键，这项技术容易累计误差，且成本高，对Die的厚度变化范围也有较高要求；C2W将切好的Die分别放置晶圆的对应位置上，位置精度虽然提高且厚度变化要求不在严苛，但颗粒控制也是影响它继续普及的问题。

先进芯片封装清洗：

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。