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晶圆级芯片封装方式特性与优点与晶圆芯片封装清洗介绍

👁 2297 Tags:​晶圆芯片封装清洗芯片封装清洗Fan-Out

WLCSP(Wafer Level Chip Scale Packaging)即晶圆级芯片封装方式,不同于传统的芯片封装方式(先切割再封测,而封装后至少增加原芯片20%的体积),此种最新技术是先在整片晶圆上进行封装和测试,然后才切割成一个个的IC颗粒,因此封装后的体积即等同IC裸晶的原尺寸。WLCSP的封装方式,不仅明显地缩小内存模块尺寸,而符合行动装置对于机体空间的高密度需求;另一方面在效能的表现上,更提升了数据传输的速度与稳定性。

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WLCSP的特性优点

-原芯片尺寸最小封装方式:
WLCSP晶圆级芯片封装方式的最大特点便是有效地缩减封装体积,故可搭配于行动装置上而符合可携式产品轻薄短小的特性需求。



-数据传输路径短、稳定性高:

采用WLCSP封装时,由于电路布线的线路短且厚(标示A至B的黄线),故可有效增加数据传输的频寛减少电流耗损,也提升数据传输的稳定性。
散热特性佳

由于WLCSP少了传统密封的塑料或陶瓷包装,故IC芯片运算时的热能便能有效地发散,而不致增加主机体的温度,而此特点对于行动装置的散热问题助益极大。


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WLCSP可以被分成两种结构类型:直接BOP(bump On pad)和重新布线(RDL)。

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BOP即锡球直接长在die的Al pad上,而有的时候,如果出现引出锡球的pad靠的较近,不方便出球,则用重新布线(RDL)将solder ball引到旁边。

最早的WLCSP是Fan-In,bump全部长在die上,而die和pad的连接主要就是靠RDL的metal line,封装后的IC几乎和die面积接近。Fan-out,bump可以长到die外面,封装后IC也较die面积大(1.2倍)。

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Fan-in:  如下流程为Fan-in的RDL制作过程。

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Fan-Out: 先将die从晶圆上切割下来,倒置粘在载板上(Carrier)。此时载板和die粘合起来形成了一个新的wafer,叫做重组晶圆(Reconstituted Wafer)。在重组晶圆中,再曝光长RDL。


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Fan-in和Fan-out 对比如下,从流程上看,Fan-out除了重组晶圆外,其他步骤与Fan-in RDL基本一致。


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晶圆芯片封装清洗介绍

芯片封装清洗:

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。



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