盘点2023中国半导体产业十大重要事件

今年3月，《党和国家机构改革方案》（简称《改革方案》）印发。《改革方案》要求，组建中央科技委员会。加强党中央对科技工作的集中统一领导，统筹推进国家创新体系建设和科技体制改革，研究审议国家科技发展重大战略、重大规划、重大政策，统筹解决科技领域战略性、方向性、全局性重大问题，研究确定国家战略科技任务和重大科研项目，统筹布局国家实验室等战略科技力量。《改革方案》明确，中央科技委员会办事机构职责由重组后的科学技术部整体承担。

11月28日，龙芯中科发布新一代国产CPU龙芯3A6000。该处理器采用我国自主设计的指令系统和架构，无需依赖国外授权技术，是我国自主研发、自主可控的新一代通用处理器，可运行多种类的跨平台应用，满足多类大型复杂桌面应用场景。

8月29日，华为Mate60 Pro发售，搭载了其自研麒麟高端芯片9000S。麒麟9000S的出现，意味着华为在美国政府长达四年多的封锁下实现了重要的突破，通过自主科技创新解决了5G智能手机先进5G芯片的国产化问题。

04.华为基本实现芯片14纳米以上EDA工具国产化

2月28日，在华为举行的硬、软件工具誓师大会上，华为轮值董事长徐直军表示，华为芯片设计EDA工具团队联合国内EDA企业，共同打造了14nm以上工艺所需EDA工具，基本实现了14nm以上EDA工具国产化，2023年将完成对其全面验证

作为芯片设计软件，EDA工具可以进行超大规模集成电路芯片的功能设计、物理设计、验证等。EDA本身极其复杂，对于实现芯片自主化具有非常重大的意义。EDA工具自主化，意味着半导体自主化的先决条件基本达成。

05.长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品

2023年11月28日，长鑫存储正式推出LPDDR5系列产品，包括12Gb的LPDDR5颗粒，POP封装的12GB LPDDR5芯片及DSC封装的6GB LPDDR5芯片。12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。LPDDR5是长鑫存储面向中高端移动设备市场推出的产品，它的市场化落地将进一步完善长鑫存储DRAM芯片的产品布局。

据长鑫存储官网显示，LPDDR5芯片是第五代超低功耗双倍速率动态随机存储器。与上一代LPDDR4X相比，长鑫存储LPDDR5单一颗粒的容量和速率均提升50%，分别达到12Gb和6400Mbps，同时功耗降低30%。长鑫存储LPDDR5芯片加入了RAS功能，通过内置纠错码(On-dieECC)等技术，实现实时纠错，减少系统故障，确保数据安全，增强稳定性

09.23家半导体企业在A股成功上市

据Wind数据统计，截至2023年12月26日，今年共有23家半导体企业在A股成功上市，主要集中于设备、制造领域。从金额来看，2023年新增IPO企业首发募资金额合计740.38亿元。

半导体芯片封装清洗：

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。