芯片封装的技术发展第一阶段、第二阶段简介

封装又区分为传统封装、晶圆级封装，其中传统封装包括引线框架（Leadframe）、基板封装（Substrate），晶圆级封装包括晶圆级芯片封装（WLCSP）、重布线（RDL）、倒片（Flip Chip）、硅通孔（TSV）。

1. 金属引线比凸点长，且线径小，因此传输电信号速率慢；
2. 金属引线高阻抗，容易导致信号失真；
3. 焊颈结合强度弱，对于保护性的要求更高。

1.  薄膜厚度和均匀性：必须仔细控制芯片内、整个晶圆以及晶圆与晶圆之间形成最终预粘合层的电介质膜厚度；
2. 覆盖对准：为了成功地以非常小的间距（目前约为1-10μm）粘合表面，需要严格控制接合焊盘对准，以确保要接合的铜焊盘完美对齐，从而推动对覆盖计量精度的需求不断增加和芯片焊接控制。
3. 缺陷率：混合键合中的直接电介质对电介质键合和铜对铜键合需要更清洁的表面，不含颗粒和残留物，以最大限度地减少界面处的空洞。与传统的焊料Bump接口相比，这推动了等离子切割等优化工艺的采用，以及显著更高的检测灵敏度和严格的缺陷减少工作。
4. 轮廓和粗糙度：成功的键合需要将表面轮廓和粗糙度控制在纳米级，需要更精确的计量技术来帮助开发和控制 HVM 环境中预键合表面的制备。在键合之前，铜焊盘必须具有特定的碟形轮廓。
5. 形状和弓形：W2W 和 D2W 混合键合对晶圆形状和弓形都很敏感，因此对晶圆级和芯片级形状计量的需求日益增加，以进行表征和控制。

芯片封装清洗：

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。