在SiC功率器件领域，国产厂商在2023年取得了突破性的进展。众多厂商纷纷宣布进入或推出车规级SiC MOSFET产品，寻求进入汽车供应链。随着新能源汽车市场的迅猛发展，800V车型开始下沉到20万元市场，SiC模块的渗透率大幅增长，进一步刺激了对车规SiC MOSFET的需求。同时，越来越多的Tier 1和整车厂开始接受国产车规SiC MOSFET产品，为国产SiC器件厂商提供了巨大的商机。2023年国产厂商推出的车规SiC MOSFET产品去年国内厂商有从模拟芯片入局到SiC功率器件领域，有初创公司推出首款车规SiC MOSFET产品，也有一些厂商的SiC MOSFET产品成功导入到主驱逆变器应用并量产。下面就来盘点一下2023年国内厂商推出的车规SiC MOSFET产品（排名不分先后）。瞻芯电子在8月宣布，依托自建的SiC晶圆产线，他们开发了第二代SiC MOSFET产品。其中，IV2Q12040T4Z (1200V 40mΩ SiC MOSFET)已获得AEC-Q101车规级可靠性认证证书，并通过了新能源行业头部企业的导入测试，正式进入量产交付阶段。与第一代产品相比，瞻芯电子的第二代SiC MOSFET进一步优化了栅氧化层工艺和沟道设计，降低了约25%的比导通电阻，显著降低了开关损耗，提升了系统效率。同时，该产品依然保持了高可靠性与强鲁棒性，在AEC-Q101车规可靠性认证、短路测试、浪涌测试等评估中表现优秀。此外，瞻芯电子在10月通过了第三方认证机构TÜV的严格评审，正式获得IATF16949汽车质量管理体系认证。11月，他们开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)也通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，导通电阻标称1Ω，主要用于各类辅助电源，在新能源汽车、光储充等领域有广泛需求。这款产品现已通过多家知名客户评估测试，逐步批量交付应用。瞻芯电子成立于2017年，致力于开发碳化硅功率器件、驱动和控制芯片、碳化硅功率模块产品，并围绕碳化硅应用为客户提供一站式解决方案。值得一提的是，瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。他们的车规级SiC晶圆厂在2022年9月完成首批晶圆流片，成功打通6英寸SiC MOSFET工艺平台。纳芯微在7月宣布了他们的SiC MOSFET产品，全系列具有1200V的耐压能力。该系列产品包括四种规格的Rdson（Vgs=18V），分别为14/22/40/60mΩ，并计划经过全面的车规级认证，以确保完全符合汽车级应用的需求。纳芯微表示，布局功率器件是为了围绕目标市场和应用，完善在客户端的产品布局，为客户提供完整的芯片级解决方案。其中，SiC MOSFET产品正在逐步进行客户送样和验证工作。纳芯微早期以信号感知芯片为主，后来逐步形成了信号感知、隔离与接口、驱动与采样三大产品线。其中，隔离芯片发展迅速，目前已经成为国内隔离芯片的领先者。自2022年开始，纳芯微开始布局SiC器件，包括SiC二极管和SiC MOSFET等产品。其中，SiC MOSFET主要聚焦于OBC应用，同时也在开发适用于主驱逆变器的产品。纳芯微的SiC MOSFET产品将为其在新能源汽车领域的应用提供有力支持，并与公司的其他产品线形成协同效应，共同推动公司在新能源汽车领域的业务发展。昕感科技在5月自主研发的1200V/80mΩ SiC MOSFET器件通过了国内第三方可靠性认证，成功获得了全套AEC-Q101车规级可靠性认证。在12月，他们又推出了另一款面向新能源领域的1200V/7mΩ规格的SiC MOSFET产品。这款产品采用了先进的结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，采用TO-247-4L Plus封装，并且可以封装进定制化功率模块，以支持在汽车主驱等新能源领域中的广泛应用。昕感科技成立于2022年，专注于第三代半导体碳化硅功率器件和模块的设计开发和制造。他们总部位于北京，并在无锡和深圳设有器件生产线和研发中心。公司的创始人在新能源汽车产业有成功创业经验，他们之前的创业公司是30余家主流车企的一级供应商。澎芯半导体在5月发布了1200V车规级平台SiC MOSFET新品，规格为1200V 40mΩ。这款产品经过了6个月全面的设计开发和可靠性考核，封装形式包括TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7、TOLL。此前，澎芯半导体已经在该1200V车规级平台上量产了80mΩ、60mΩ、32mΩ的SiC MOSFET产品。到了12月，澎芯半导体再次在1200V车规级平台上推出了1200V/15mΩ的SiC MOSFET新品。这款产品由澎芯半导体联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，试产良率达到75%。同时，已联合模块客户（模块封装厂）和终端使用客户共同定义开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。澎芯半导体有限公司成立于2020年，专注于SiC功率半导体器件的开发、销售和技术服务。该公司已与国内外多家专业从事SiC功率器件产业链上下游业务的企业完成深度合作，并且建立了行业领先的SiC器件仿真设计、性能参数测试、可靠性测试和晶圆测试分析平台。在4月，基本半导体位于深圳光明区的车规级碳化硅芯片产线项目举行了通线仪式，该产线主要生产6英寸碳化硅MOSFET晶圆等产品。项目达产后，每年将能满足约50万辆新能源汽车的相关芯片需求，为新能源汽车产业的快速发展提供了有力支持。到了5月，基本半导体发布了第二代SiC MOSFET系列新品，涵盖了1200V 65mΩ/40mΩ/35mΩ/20mΩ四种比导通电阻规格，同时提供了多种封装规格选择，包括TO-247-3、TO-247-4、TO-247-4-PLUS、TO-263-7及SOT-227等。据介绍，第二代SiC MOSFET在芯片设计方案上进行了综合优化，比导通电阻降低了约40%，器件Qg降低了约60%，开关损耗降低了约30%，工作结温也达到了175°C。基本半导体成立于2016年，专业从事碳化硅功率器件的研发与产业化。他们覆盖了碳化硅功率半导体的材料制备、芯片设计与制造、封装测试、驱动应用等产业链关键环节，核心产品包括碳化硅二极管和MOSFET芯片、汽车级碳化硅功率模块、碳化硅驱动芯片等，性能达到国际先进水平。2023年，芯塔电子在碳化硅功率器件领域取得了令人瞩目的成果。他们自主研发的1200V/80mΩ TO-263-7封装SiC MOSFET器件已成功获得第三方权威检测机构（广电计量）的全套AEC-Q101车规级可靠性认证，并且在头部OBC企业通过测试，已进入批量导入阶段。此外，该公司的SiC MOSFET器件已导入多家充电桩、光伏储能等领域客户，并实现了批量出货。芯塔电子的第二代SiC MOSFET在器件优值因子和栅极抗串扰性能方面表现优异，处于业界领先地位。他们即将发布的第三代SiC MOSFET将在元胞层面实现重大技术创新及整体性能提升。芯塔电子自2018年成立以来，创始人倪炜江博士凭借其在碳化硅功率器件领域的丰富经验，成功领导建设了国内首条4英寸和6英寸的碳化硅器件产线。目前，公司主要产品线包括SiC SBD、SiC MOSFET，以及全SiC/混合SiC功率模块等，同时还可以提供SiC SBD裸芯片，包括4/6英寸的裸晶圆产品。此外，芯塔电子还布局了功率模块封装产线。去年6月，倪炜江表示芯塔电子的车规级碳化硅模块产业已经在浙江湖州完成落地。新建的模块封装线将紧密结合新能源汽车对新型SiC MOSFET模块的需求，已与战略合作的整车厂以及T1厂商达成了产品合作的意向。产品量产后，他们将立刻进行完整的上车测试与整车验证，为推动新能源汽车的发展贡献力量。中科汉韵在9月宣布，他们的车规级SiC MOSFET晶圆已经成功实现交付。这款产品包括1200V/17mΩ和750V/13mΩ两种型号，将应用于电动汽车的主驱系统中。经过一系列的验证，包括工程批工艺开发、工艺平台逐步稳定、小批量交付客户、器件参数稳定以及客户模块参数验证和模块产品可靠性验证等，中科汉韵从今年开始批量交付车规级SiC MOSFET晶圆产品，良率达到70%以上。中科汉韵成立于2019年，由中国科学院微电子研究所和徐州中科芯韵半导体产业投资基金共同投资。他们致力于成为提供全面的车规级碳化硅芯片与功率器件组合产品的IDM厂商。澜芯半导体在11月发布了业界最低导通电阻的SiC MOSFET单管产品，规格为1200V/6mΩ。这款产品采用澜芯半导体最新的第二代SiC MOSFET技术平台，TO247-PLUS封装，可以广泛应用于光伏、储能、高压充电以及单管集成主驱逆变器等领域。早在8月，澜芯半导体就表示其首款SiC MOSFET产品1200V 80mΩ SiC MOSFET成功通过了1000小时175℃ 100%Vds HTRB和1000小时175℃ HTGB可靠性考核。该测试是参考车规AEC-Q101的可靠性考核条件进行考核，参考依据为AEC-Q101-Rev-E-B1-2021/AEC-Q101-Rev-E-B2-2021。上海澜芯半导体有限公司成立于2022年6月，是一家专注于功率芯片设计的公司。他们的产品包括碳化硅功率器件、硅基IGBT、MOSFET相关的单管和功率模块产品。研发团队具备丰富的功率芯片开发经验和深厚的车规级功率半导体行业背景。在4月，蓉矽半导体宣布他们的200V 12mΩ NovuSiC® MOSFET已经开始量产。这一重要里程碑的实现得益于他们的高效研发和卓越的生产工艺。首批次量产的平均良率高达80%，这充分证明了该产品的高可靠性和高质量，完全满足车规主驱芯片的标准。蓉矽半导体，这家成立于2019年的企业，不仅是四川省首家专注于碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，更是自主开发世界一流车规级碳化硅器件的佼佼者。他们拥有台湾汉磊科技的第一优先级产能保障，这为他们的快速发展提供了坚实的支撑。蓉矽半导体的产品线非常丰富，包括高性价比的“NovuSiC®”和高可靠性的“DuraSiC®”两大系列。产品涵盖了碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET，以及硅基FR MOS和理想硅基二极管MCR®。这些产品广泛应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域，为推动新能源技术的发展做出了积极贡献。在10月，国星光电研发的1200V/80mΩ SiC MOSFET顺利获得了AEC-Q101车规级认证，并通过了高压960V H3TRB（HV-H3TRB）可靠性考核。这一成就使国星光电成为国内少数几家能够通过双重考核的SiC功率分立器件厂商之一。这款车规级器件采用了国星光电自主研发的NSiC-KS封装技术。这种技术有效地避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，实现了这两个回路的解耦。这使得器件的开关损耗和开通损耗显著降低，开关频率更快，并且寄生电感和误开启风险也大大降低。国星光电成立于1969年，一直专注于LED及LED应用产品的研发、生产和销售。作为国内首家以LED为主业上市的企业，以及最早生产LED的企业之一，国星光电在国内LED封装领域处于领先地位。为了进一步拓展业务，国星光电于2019年成立了第三代半导体项目组。这个团队致力于高可靠性功率器件的封装设计与生产制造，产品系列覆盖碳化硅分立器件（SBD、MOS）、碳化硅功率模块、氮化镓分立器件等。在12月，南瑞半导体宣布其自主研发的1200V/40mΩ SiC MOSFET器件（NCM40S12T4K2）已顺利通过AEC-Q101车规级可靠性认证。这款器件采用了低比导微元胞芯片结构设计技术，使得其比导通电阻Ron,sp低至3.1mΩ·cm2，良率高达90%，达到了国际一流水平。南瑞半导体的第二代SiC MOSFET与第一代产品同为平面栅MOSFET，但通过进一步优化工艺，使器件比导通电阻降低约25%，显著降低开关损耗，提升系统效率。这款产品可耐受高达175℃的工作结温，在同类产品中表现出较低的比导通电阻、更小的开关损耗、较高的开关速度和较低的寄生电容。南瑞半导体是国电南瑞与国家电网有限公司下属科研单位全球能源互联网研究院有限公司在2019年共同投资设立的功率半导体企业。目前，该公司的产品主要面向大功率应用，其IGBT/FRD产品电压等级涵盖650V-6500V，SiC MOSFET产品电压等级涵盖1200V-3300V。这些产品已广泛应用于高压柔性输电、电能质量治理、特种电源、工业传动、风力发电、光伏发电、新型储能、制氢电源、充电设施和新能源汽车等领域。在2023年11月，飞锃半导体就展示了其车规级SiC MOSFET产品。这些产品包括1200V 35/70/160mΩ和650V 30/45/60mΩ规格，不仅已经实现量产，还通过了第三方车规AEC-Q101可靠性验证以及960V高压H3TRB加严测试。飞锃半导体的车规级SiC MOSFET目前已经发展到第二代，通过工艺优化，降低了单位晶圆面积内的导通电阻，进一步优化了开关性能。更值得一提的是，该产品采用了开尔文Source封装，这种封装设计避免了驱动回路和功率回路共用源极线路，从而显著提升了器件的开关速度和抗干扰能力。这为提高开关频率、提升系统效率功率密度提供了更多的可能性。飞锃半导体自2018年成立以来，一直致力于碳化硅器件的研发与生产。作为国内首家在硅晶圆代工厂成功生产6英寸碳化硅器件的功率器件厂商，飞锃半导体的主要产品线包括碳化硅二极管和碳化硅MOSFET，已经批量供应给光伏行业、车载电源等领域的头部企业。除此之外，他们还正在研发全碳化硅半桥模块产品，进一步丰富其产品线。12月，中瓷电子在投资者互动平台上宣布，其子公司国联万众半导体的电驱用1200V SiC MOSFET芯片已研发成功，并开始交由客户进行上车验证，同时有小批量销售。国联万众目前拥有包括650V、1200V和1700V在内的多种SiC功率模块系列产品，并计划未来进军高压SiC功率模块领域。令人振奋的是，国联万众的车规级SiC MOSFET模块已成功向国内一线车企稳定供货数百万只。此外，国联万众的OBC用SiC MOSFET芯片月产能已达到5kk只以上，完全能够满足车企的需求。值得一提的是，中瓷电子透露其主驱用大功率MOSFET产品主要面向比亚迪，而其他客户也正处于紧密接触、合作协商、送样验证等阶段。国联万众半导体成立于2015年3月，是由中国电子科技集团公司第十三研究所控股的混合所有制企业。公司主营业务涵盖第三代半导体器件的设计、封装、模块、检测和应用等产品，包括GaN射频功放和SiC功率器件等。在11月，中汽创智自主研发的首批1200V 20mΩ SiC MOSFET芯片在积塔工厂正式下线！这款芯片采用平面栅型结构，拥有独立自主的知识产权。其独特的新型终端结构设计，带来了更高的工艺可靠性。在相同耐压水平下，该芯片体积更小，非常适合应用于新能源汽车的主驱逆变器等车载电源系统。中汽创智表示，未来他们还将推出自主研发的1200V 40mΩ和80mΩ SiC MOSFET等产品，持续推动技术进步。中汽创智是由中国一汽、东风公司、兵器装备集团、长安汽车及南京江宁经开科技共同出资设立的强大团队。他们围绕“车端+云端+通信端”生态体系，致力于实现新能源智能网联汽车产业的智能底盘、新能动力、智能网联技术的突破，开创央企发展的新模式。中汽创智以SiC模块为切入点，快速形成了SiC功率模块封装、测试能力和基于SiC技术的车载集成电源系统开发能力。他们逐步建立起从上游芯片设计、模块封装，到下游应用支持的“一站式”能力，为行业发展树立了新的标杆。在7月，杰平方半导体发布了自主研发的SiC MOSFET产品JPM120020B，这款产品规格为1200V/20mΩ，具有出色的稳定工作温度达175℃，采用了先进的减薄工艺。它具备优异的低阻抗特性，能有效减小器件能量损耗。同时，经过严苛的可靠性认证，包括大批量的HTRB、HTGB测试和HV-H3TRB测试，确保了其在光伏逆变、新能源汽车、充电桩、储能等领域的应用可靠性。在9月，杰平方获得了德国莱茵TÜV集团颁发的ISO 26262功能安全管理体系ASIL D认证证书。这一重要认证为杰平方设计符合功能安全要求的车规级芯片打下了坚实的基础。到了10月，杰平方宣布启动位于香港的8英寸SiC IDM晶圆厂项目，计划投资港币69亿元。该项目预计在2028年达到年产24万片的产能，这不仅是杰平方发展历程中的重要里程碑，更是香港历史上第一家规模化的半导体晶圆厂。杰平方半导体成立于2019年，专注于车载芯片的研发。他们致力于满足中国汽车产业对国产自主车载芯片的迫切需求，主要面向电能转换、通信等领域，提供高性能碳化硅（SiC）芯片、车载以太网芯片等前沿产品。杰平方半导体的出现，无疑为中国汽车产业的自主创新和升级提供了强大的支持。
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