陶瓷基板AMB覆铜的主要生产工艺与陶瓷基板焊后助焊剂清洗介绍

发布时间：2024-02-22 👁 2468 Tags：陶瓷基板AMB覆铜陶瓷基板清洗陶瓷基板PCBA清洗

AMB基板是靠陶瓷与活性金属焊膏在高温下进行化学反应来实现结合，因此其结合强度更高，可靠性更好。随着电力电子技术的高速发展，高铁上的大功率器件控制模块对IGBT模块封装的关键材料——陶瓷覆铜板形成巨大需求，尤其是AMB基板逐渐成为主流应用。

1、原材料

陶瓷铜基板的直接原材料主要有铜带和陶瓷基板，以及的活性金属钎料。

铜带：目前在工业上广泛采用Cu-OFE（含铜>99.99%，氧<0.0005%）。它以条带形式供应，使用前应压制和切割成与供应的陶瓷尺寸相同的铜箔，由于在粘接前要进行化学预处理，因此对铜带的储存寿命没有严格要求。

活性金属钎料：是一种具有一定粘合性的混合膏状材料，为防止其特性发生任何变化，通常在零下温度下储存，使用前应立即解冻和混合。

陶瓷：AMB中使用的陶瓷材料以粉末形式供应，经过一系列的混合、共混、印刷、成型，可加工成AMB生产所需的陶瓷片。根据陶瓷材质的不同，目前成熟应用的AMB陶瓷基板可分为：氧化铝、氮化铝和氮化硅基板。

①AMB氧化铝基板

基于氧化铝板材来源广泛、成本低，是当前性价比的AMB陶瓷基板，其工艺也为成熟。但由于氧化铝陶瓷的热导率低、散热能力有限，AMB氧化铝基板多用于功率密度不高且对可靠性没有严格要求的领域。

②AMB氮化铝基板

AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。氮化铝AMB基板具有较高的散热能力，从而更适用于一些高功率、大电流的工作环境。但是由于机械强度相对较低，氮化铝AMB覆铜基板的高低温循环冲击寿命有限，从而限制了其应用范围。

③AMB氮化硅基板

氮化硅陶瓷的热膨胀系数（2.4ppm/K）较小，与硅芯片（4ppm/K）接近；AMB氮化硅基板具有较高的热导率（>90W/mK）。AMB-Si3N4基板结合的机械性能具有优异的耐高温性能、散热特性和超高的功率密度。
对于对高可靠性、散热以及局部放电有要求的汽车、风力涡轮机、牵引系统和高压直流传动装置等来说，AMB氮化硅基板可谓其的基板材料。此外，载流能力较高，而且传热性也非常好。

2、丝网印刷

丝网印刷前，应将活性金属钎料从零下温度的环境中取出，在室温下放置一段时间，以保证粘合性和印刷性能。印刷前应将解冻的活性金属钎料离心搅拌，除去焊料中的气泡，保证溶剂和活性剂充分混合，防止印刷时缺焊料。为了保证印刷后陶瓷片表面留有足够的焊料，印刷前后陶瓷片应称重进行比较，如印刷厚度有异常，可用酒精擦洗表面，再进行印刷。

3、粘接/钎焊

在AMB制备中，活性金属焊料用于结合铜和陶瓷基板，含Ti/Ag/Cu等元素的钎料与陶瓷发生化学反应，生成可被液态钎料润湿的反应层，从而实现金属在工件表面的焊接，没有金属化的陶瓷。

4、一次蚀刻

蚀刻：用显影液处理后，将带有图案的母卡浸入酸溶液中进行腐蚀。母卡表面没有被光刻胶覆盖的铜部分会被蚀刻掉，留下被光刻胶保护的部分，形成蚀刻图案。铜下面的钎料不会被酸溶液腐蚀。蚀刻深度可以通过控制制造过程中酸溶液的浓度及线体参数来控制。

5、二次蚀刻

蚀刻：需要重复层压蚀刻过程，但需调整蚀刻液的种类，去除掉焊料层。

6、电镀

根据客户后续的应用，可以在陶瓷-铜基板的表面进行不同的镀层处理，行业常用的镀层有镀银、镀金、镀镍等。

7、激光切割

化学镀后，利用工业激光沿锯切街对母卡进行预切割，为后续的手工切单做准备。由于铜经过蚀刻，激光切割主要作用在陶瓷基板上单片之间的锯齿道上，切割深度要严格控制。

8、陶瓷基板PCBA焊后助焊剂清洗：

专注精密电子清洗技术20多年，是SMT贴装/DIP封装，功率半导体器件及芯片封装精密清洗工艺技术方案、产品、清洗设备提供商。

针对陶瓷基板PCBA清洗、电子制程精密焊后清洗的不同要求，在陶瓷基板PCBA清洗水基清洗剂方面有比较丰富的经验，对于有着低表面张力、低离子残留、配合不同清洗工艺使用的情况，自主开发了较为完整的水基系列产品。

精密电子清洗除焊后助焊剂、锡膏、焊膏、球焊膏、焊锡膏、锡渣等残留物。水基清洗剂系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基和半水基清洗剂，碱性和中性的水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下，的兼容性较佳. 先进封装包括倒装芯片、WLCSP晶圆级芯片封装、3D IC集成电路封装、SiP系统级封装、细间距封装等等。

以上便是陶瓷基板清洗剂厂商,陶瓷基板的优越性与用途介绍，希望可以帮到您！

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