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先进封装介绍与先进封装清洗剂

👁 2203 Tags:先进封装先进封装清洗剂先进封装清洗

先进封装简介与先进封装清洗剂

半导体封装是半导体制造工艺的后道工序,为芯片和印制线路板之间提供电互联、机械支撑、机械和环境保护及导热通道。

广义的封装主要分为零级到四级封装,零级封装指芯片上的互联,得到芯片,一级封装,即狭义上的封装,指将芯片固定在封装基板或引线框架上,将芯片的焊盘与封装基板或引线框架的内引脚互联从而进一步与外引脚连通,并对芯片与互联进行保护性包封。二级封装为板级封装,得到印制线路板。三级/四级封装得到完整的电子产品。

先进封装介绍.png

20世纪80年代以SOP(小外形封装)、LCC(无引脚芯片载体)以及QFP(扁平方形封装)为主。20世纪90年代,以BGA(球栅阵列封装)为代表。2000年后,CSP(Chip-Scale Package,芯片级封装)、WLP(Wafer-Level Package,晶圆级封装)、SIP(System In a 3Package,系统级封装)、2.5D/3D封装开始涌现。

先进封装清洗.png

先进封装与传统封装的主要区别在于是否主要采用打线封装。传统封装工艺采用单科芯片通过焊线方式封装到基板或引线框架上。而先进封装形式更加多维:如用倒装焊代替引线焊接,提高了互联密度及电性;用焊球阵列代替引线框架外引脚,提高了I/O数量、封装密度及电性能;晶圆级封装则用芯片工艺代替了传统封装工艺;芯片尺寸封装带来封装效率的持续提升;3D则使封装密度和性能进一步发展。

3D封装.png

先进封装主要通过平面与空间上的革新实现连接的密集化、堆叠的多样化和功能的系统化。

1、平面上,以Bump I/O Pitch(凸块间距)缩小化和RDL L/S(Re-distributed Layer重布线层,线宽/间距)精细化为核心驱动,来实现高互联、低功耗、低单位面积成本的封装技术。典型代表为BGA、Flipchip、晶圆级封装。

2、空间上,先进封装向三维发展,以高度集成化、高度功能化为目标,典型代表为2.5D/3D封装、SiP系统级封装、Chiplet等。空间上革新的技术核心为TSV硅通孔(Through SiliconVia)技术。

先进封装清洗剂.png

先进封装清洗剂

芯片级封装在nm级间距进行焊接,助焊剂作用后留下的活性剂等吸湿性物质,较小的层间距如存有少量的吸湿性活性剂足以占据相对较大的芯片空间,影响芯片可靠性。要将有限的空间里将残留物带离清除,清洗剂需要具备较低的表面张力渗入层间芯片,达到将残留带离的目的。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

是一家电子水基清洗剂 环保清洗剂生产厂家,其产品覆盖先进封装清洗剂、半导体清洗、芯片清洗、PCBA电路板清洗剂、助焊剂清洗剂等电子加工过程整个领域。 先进封装清洗剂产品包含晶圆级封装清洗剂SIP系统级封装清洗剂倒装芯片清洗剂POP堆叠芯片清洗剂等。

推荐使用 水基清洗剂产品。


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