详解高精密半导体制造技术工艺流程与芯片清洗剂选择介绍

1. 切割硅片

将圆柱形高纯度硅锭切割成圆盘，制成带有定向凹槽的硅片。

2. 形成氧化膜

将硅片排列好，放入炉内退火，加入氧气和硅气，在硅片表面形成氧化膜。

3. 涂敷光刻胶

接下来，将一种称为光刻胶的光敏剂涂敷到表面。在涂敷过程中，硅片会高速旋转，以便将光刻胶薄薄地均匀涂敷到硅片上。

4. 曝光

半导体光刻系统将硅片与光掩模对准，通过镜头将光掩模上的电子电路图案缩小到原来的四分之一或五分之一，然后将光线投射到电路图案上，将其图案化在硅片上。
曝光是逐个芯片进行的。使用不同的光掩模在硅片上形成各种元件。步骤3至7重复数十次。

5. 显影

在显影过程中，通过将晶圆浸入液体溶剂中，曝光区域的光刻胶被溶解。曝光区域下方的氧化膜显露出来。

6. 蚀刻

去除露出的氧化膜后，再去除剩余的不需要的光刻胶，露出图案。

7. 掺杂

通过在熔炉中向硅片添加硼、磷和砷等化学物质，在硅片上形成晶体管、二极管和其他元件。

8. 布线

为了连接硅片上形成的元件，需要将铝沉积在硅片表面，并去除不需要的区域上的铝。

9. 切割

将硅片上的芯片逐个切下。

10. 粘合/成型

然后通过细金线将芯片和引线框架（用于将芯片连接到端子的框架）连接起来。
芯片被封装在合成树脂或陶瓷封装中，以防止冲击和刮擦。

11. 半导体完成

移除框架部分并塑造引线，以便将半导体安装在电路板上。

半导体封装芯片清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。