一、车规级超级结技术概述

车规级超级结技术是一种先进的功率半导体技术，它在传统的超级结MOSFET的基础上，增加了额外的要求和改进，以满足汽车行业的严格标准。这种技术主要用于制造高性能的电力开关器件，它们需要在汽车的高压电气系统中安全、高效地工作，如车载充电器、电机驱动器等

二、车规级超级结技术市场应用领域

车规级超级结技术被广泛运用于各个汽车领域，如电动车充电桩，需要承受较高的电压和电流冲击，车规级超级结MOSFET能够提供高效的能量转换和稳定的控制性能，确保充电桩的安全可靠运行。

此外，超级结技术还可用于为车载电源系统提供稳定电力，它能够优化电源系统的效率和可靠性，确保汽车在各种工况下都能正常运行。

1. 安森美半导体

安森美半导体在车规级MOSFET技术的发展上展现出显著的创新力，例如他们推出采用创新顶部冷却技术的MOSFET器件，采用TCPAK57封装，具有5mm×7mm的尺寸，并在顶部提供了16.5mm²的热焊盘，有效提高了散热效率。

安森美的MOSFET器件提供高功率应用所需的电气效率，RDS(ON)值低至1mΩ，栅极电荷(Qg)也较低（65nC），降低了高速开关应用中的损耗。这些特性使得安森美的MOSFET在电机控制和DC-DC转换等具挑战的汽车应用中表现出色。

2. 东微半导体

东微半导是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司，其产品主要应用于汽车及工业相关等中大功率应用领域。主要产品包括GreenMOS系列高压超级结MOSFET、SFGMOS系列及FSMOS系列中低压屏蔽栅MOSFET。

GreenMOS系列高压超级结MOSFET全部采用超级结技术原理，具有开关速度快、动态损耗低、可靠性强等优势。另一核心产品中低压屏蔽栅MOSFET，兼具平面结构和屏蔽栅结构优势，具备稳定工艺水平和高可靠性。

3. 瞻芯电子

瞻芯电子依托自建的SiC晶圆产线，开发了第二代SiC MOSFET产品。与第一代产品相比，第二代SiC MOSFET优化了栅氧化层工艺和沟道设计，降低了约25%的比导通电阻，显著降低了开关损耗，提升了系统效率。是中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品及工艺平台的公司。

４. 英飞凌

英飞凌不断提供最新的汽车MOSFET产品，这些产品基于其领先的MOSFET技术、卓越的品质和坚固的封装，具有卓越的性能。

英飞凌提供了多种已通过AEC-Q101以上认证的N沟道、P沟道和双通道MOSFET产品，适用于汽车应用。他们的OptiMOS™功率MOSFET产品组合提供了20 V至300 V的标准质量、坚固耐用的封装和RDS(on)低至0.4 mΩ。

５. 飞锃半导体

飞锃半导体在2023年11月展出了车规级SiC MOSFET产品，包括1200V、35/70/160mΩ和650V、30/45/60mΩ规格。他们的车规级SiC MOSFET是第二代SiC MOSFET产品，通过工艺优化降低了单位晶圆面积内的导通电阻，开关性能也得到了优化。

三、车规级超级结技术产业发展趋势

随着新能源汽车产业的快速发展，对车规级超级结技术的需求将持续增长。预计在未来几年内，随着国产替代进程的加速，国内企业在这一领域的技术水平将进一步提升，有望打破国际大厂的垄断局面，并在新能源汽车、光伏、风电等领域的应用更加广泛。

 四、车规级IGBT 模块芯片封装清洗剂选择：

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。