倒装芯片凸点工艺的最新进展与倒装芯片封装清洗介绍

 倒装芯片凸点工艺概述

倒装芯片凸点工艺是一种先进的集成电路封装技术，它通过在芯片表面创建金属焊盘来连接到I/O，然后再进行一系列的步骤，包括晶圆凸块、焊球沉积、熔化/回流和填充电绝缘粘合剂等1。这种技术自1970年代以来一直在使用，并在1990年代开始广泛普及。随着技术的发展，凸点技术不断发展，以应对不断增加的功率和信号连接密度的需求1。

倒装芯片凸点工艺的关键步骤

倒装芯片凸点工艺的关键步骤包括以下几个环节：

1. 基板准备： 在倒装芯片封装过程中，首先需要准备好基板，然后在基板上创建金属焊盘，这些焊盘将用于后续的连接。

2. 晶圆凸块： 接下来，会在每个焊盘上沉积焊球，这个过程称为晶圆凸块。

3. 焊球熔化/回流： 然后，焊球会被熔化/回流，通常使用热空气进行加热。

4. 底部填充： 安装的芯片底部会填充电绝缘粘合剂，通常使用毛细管作用。这个步骤是为了确保芯片与基板之间的电气绝缘和机械稳定。

倒装芯片凸点工艺的技术挑战

虽然倒装芯片封装技术带来了很多优势，但在制造过程中也面临着一些技术挑战。以下是几个主要的挑战：

1. 凸点间距： 随着间距尺寸的缩小，凸块和键合的制造变得更加困难。目前，在生产中使用的凸点间距已经达到了62.5微米，而未来的趋势是向着50微米甚至更小的间距发展1。

2. 材料和CTE匹配： 由于材料的CTE（热膨胀系数）不匹配，不同的材料在热膨胀时可能会产生翘曲等问题，这对于较大的die和晶圆来说是一个需要注意的问题1。

3. 底部填充工艺： 底部填充工艺的选择也是一个重要因素。不同的填充工艺会影响封装的电气性能和可靠性。例如，毛细底部填充、塑封底部填充、非导电型胶水（NCP）或胶膜（NCF）底部填充等都有各自的特点和适用范围3。

倒装芯片凸点工艺的选择

选择合适的凸点制作方法对于倒装芯片技术的广泛应用至关重要。现有的凸点制作方法包括蒸发沉积、印刷、电镀、微球法、黏点转移法、SB2-Jet法、金属液滴喷射法等。每种方法都各有其优缺点，适用于不同的工艺要求2。

综上所述，倒装芯片凸点工艺是一项复杂但至关重要的技术，它不仅影响着芯片的性能，也关系到整个电子设备的可靠性。随着技术的进步，我们可以期待更高密度、更高效能的倒装芯片封装产品的出现。

倒装芯片凸点工艺的最新进展

倒装芯片凸点工艺的最新进展包括向着更小的间距发展，如50微米或更小的间距。此外，铜柱或微凸块技术也在发展中，这些技术需要光刻来创建结构，并且平坦的表面形貌和低应力接头允许使用的底部填充物具有灵活性。目前，对于所使用的晶圆级或晶圆厂级路由，35微米的凸点全阵列间距是可能的。异构集成路线图描述了封装的所有方面，包括从焊线到硅通孔的裸片到基板互连。

倒装芯片凸点技术的未来趋势

倒装芯片凸点技术的未来趋势包括更小的间距，如50微米或更小的间距，以及铜柱或微凸块技术的发展。这些技术需要光刻来创建结构，并且平坦的表面形貌和低应力接头允许使用的底部填充物具有灵活性。目前，对于所使用的晶圆级或晶圆厂级路由，35微米的凸点全阵列间距是可能的。异构集成路线图描述了封装的所有方面，包括从焊线到硅通孔的裸片到基板互连。

 倒装芯片封装清洗

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

运用自身原创的产品技术，满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求，打破国外厂商在行业中的垄断地位，为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。

推荐使用 水基清洗剂产品。