因为专业
所以领先
该路线图以逻辑叠加技术为特色,将逻辑叠加技术安装在基板上,将 2nm(SF2)芯片与 4nm(SF4X)芯片组合在一起,两者都安装在另一块基板上。这基本上是 2.5D 封装上的 3D-IC,也就是前面提到的 3.5D 或 5.5D 概念。Song 表示,该代工厂将从 2027 年开始在 SF2P 上堆叠 SF1.4。这种方法特别吸引人的地方在于散热的可能性。通过将逻辑与其他功能分开,热量可以通过基板或五个暴露面中的任何一个从堆叠的芯片中排出。
与此同时,将利用其 Foveros Direct 3D 将逻辑堆叠在逻辑上,无论是面对面还是面对面。
图 6:英特尔的 Foveros Direct 3D
其他创新工艺和封装技术的到位为更广泛的竞争选择打开了大门。与过去由大型芯片制造商、设备供应商和 EDA 公司定义芯片路线图不同,小芯片世界为最终客户提供了做出这些决策的工具。这在很大程度上是由于可以放入封装中的功能数量与可以放入 SoC 光罩限制内的功能数量不同。可以根据需要水平或垂直扩展封装,在某些情况下,它们可以通过垂直布局规划来提高性能。
图 7:路线图和创新
与此同时,一直在研究一种更好的方法来为密集排列的晶体管供电,随着晶体管密度和金属层数量的增加,这个问题一直存在。过去,电源是从芯片顶部向下输送的,但在最先进的节点上出现了两个问题。一是实际上为每个晶体管提供足够的功率的挑战。二是噪声,它可能来自电源、基板或电磁干扰。如果没有适当的屏蔽——由于电介质和电线越来越薄,在每个新节点上屏蔽变得越来越困难——噪声会影响信号完整性。
先进封装芯片清洗
研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。
水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。
污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。
这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。
运用自身原创的产品技术,满足芯片封装工艺制程清洗的高难度技术要求,打破国外厂商在行业中的垄断地位,为芯片封装材料全面国产自主提供强有力的支持。
推荐使用 水基清洗剂产品。
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