中国IGBT芯片行业技术趋势(IGBT模块的清洗现状和未来的清洗趋势)
IGBT是电源转换的核心器件,由双极型三极管和MOSFET组成,适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统。IGBT还是新能源与节能低碳经济的主要支撑技术,具有开关速度快、载流密度大等特点,广泛用于新能源汽车、光伏以及智能制造领域。IGBT制造属于资本密集型行业,其产业链较长,包括芯片设计、芯片制造、模块制造、测试等环节;部分设备依赖进口,成本高昂。
一、中国IGBT芯片行业技术趋势:IGBT主要有三个发展方向
从行业整体发展规律而言,IGBT发展趋势主要是降低损耗和降低成本。
从结构上讲,IGBT主要有三个发展方向:
1)IGBT纵向结构:非透明集电区NPT型、带缓冲层的PT型、透明集电区NPT型和FS电场截止型;
2)IGBT棚极结构:平面棚机构、Trench沟槽型结构;
3)硅片加工工艺:外延生长技术、区熔硅单晶。
二、中国IGBT芯片行业需求情况:
IGBT凭借着高功率密度、驱动电路简单以及宽安全工作区等特点,成为了中大功率、中低频率电力电子设备的首选。在工作频率低于10⁵Hz的范围内,硅基IGBT是首选的功率半导体器件,其功率范围涵盖几千瓦至十兆瓦,典型的应用领域包括工业控制(变频器、逆变焊机、不间断电源等);新能源汽车(主电驱、OBC、空调、转向等);新能源发电(光伏逆变器、风电变流器);变频白电(IPM);轨道交通(牵引变流器);智能电网等。
低压IGBT一般电压在1200V及以下,且适用于低消耗的消费电子和太阳能逆变器领域,中国本土厂商几乎都有布局低压领域。
中压IGBT一般电压在1200-2500V,适用于新能源汽车、风力发电等领域,由于碳中和计划的持续推行以及新能源领域的高速发展,该领域是中国IGBT本土厂商未来主要发力的领域。
高压IGBT一般电压大于2500V,主要适用于高铁、动车、智能电网等领域,中国本土厂商仅中车时代和斯达半导有所布局,中国高铁里程数全球第一,需求量大,促进中上游技术发展,因此该领域率先实现了国产替代。
三、IGBT模块的清洗现状和未来的清洗趋势
目前,大量的IGBT仍在采用传统的正溴丙烷等溶剂清洗清洗,随着对环保的管控和对产品可靠性的要求不断提高,原有的传统溶剂清洗已不能满足IGBT清洗。对此,合明提出新型的IGBT清洗方案。
合明半水基清洗工艺解决方案,采用合明专利配方,可在清洗IGBT凹槽内存在大量的锡膏残留的同时去除金属界面高温氧化膜,更含有保护芯片独特的材料;配方材料亲水性强,清洗后易于用水漂洗干净。
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以上为本公司一些经验的累积,因工艺问题内容广泛,没有面面俱到,只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断的追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
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