IGBT模块器件介绍（IGBT模块优点）
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管（Giant Transistor，GTR）的低导通压降两方面的优点。GTR 饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET 驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
IGBT 综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为 600V 及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT 是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 IGBT 模块是由 IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与 FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的 IGBT 模块直接应用于变频器、UPS 不间断电源等设备上。
IGBT 模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的 IGBT 也指 IGBT 模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。
半导体行业的技术发展方向可归纳为更高的功率密度、开关频率，以及更小的导通压降、开关损耗、芯片尺寸、模块体积。据比亚迪半导体官方发布，最新推出了 SOT-227 封装 IGBT / 二极管系列模块。比亚迪半导体推出的SOT-227封装IGBT模块介于单管和模块之间，M4 螺丝法蓝底板安装 4 个引出端口，属于内绝缘封装的一种，常用来封装 IGBT、各类二极管、MOSFET 等。
该产品为比亚迪自主 IGBT 芯片，采用标准封装，兼容市场主流尺寸。优化 DBC 布局设计，降低采样信号干扰。封装体积小，安装方便。可根据客户需求自由搭配拓扑电路。应用领域包括 UPS 电源，变频、伺服，光伏储能等。
【阅读提示】
以上为本公司一些经验的累积，因工艺问题内容广泛，没有面面俱到，只对常见问题作分析，随着电子产业的不断更新换代，新的工艺问题也不断出现，本公司自成立以来不断的追求产品的创新，做到与时俱进，熟悉各种生产复杂工艺，能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。
【免责声明】
1. 以上文章内容仅供读者参阅，具体操作应咨询技术工程师等；
2. 内容为作者个人观点， 并不代表本网站赞同其观点和对其真实性负责，本网站只提供参考并不构成投资及应用建议。本网站上部分文章为转载，并不用于商业目的，如有涉及侵权等，请及时告知我们，我们会尽快处理；
3. 除了“转载”之文章，本网站所刊原创内容之著作权属于
网站所有，未经本站之同意或授权，任何人不得以任何形式重制、转载、散布、引用、变更、播送或出版该内容之全部或局部，亦不得有其他任何违反本站著作权之行为。“转载”的文章若要转载，请先取得原文出处和作者的同意授权；
4. 本网站拥有对此声明的最终解释权。
