未来功率器件封装的发展趋势与功率器件QFN清洗

观整个功率器件市场，整体态势是欧美日厂商三足鼎立。 其中美国功率器件处于世界领先地位，拥有一批具有全球影响力的厂商，例如 TI、Fairchild、Maxim、ADI、ONSemiconductor和 Vishay 等厂商。欧洲拥有 Infineon、ST 和 NXP 三家全球半导体大厂。日本主要有 Toshiba、 Renesas、 Rohm、 Matsushita、Fuji Electric 等。中国台湾拥有富鼎先进、茂达、安茂、致新和沛亨等一批厂商。而我国则有上述代表。

功率半导体器件细分领域多， 行业整体增速较缓，大厂倾向于业内并购，通过布局新领域实现增长。 2016 年英飞凌科技成为全球功率半导体的主要供应商，其在 2015 年初收购美国国际整流器公司（InternationalRectifier）后，英飞凌超过三菱电机成为领先的功率模块制造商。 德州仪器在 2015 年被英飞凌超越后，于 2016年退居全球第二。 安森美完成对飞兆半导体（Fairchild）的收购后，市场排名升至第三位，其在功率分立器件市场份额跃升 10%。 2016 年建广资本以 27.5 亿美元并购了 NXP 的标准器件部门，中国企业首次进入行业全球前十强。

针对功率器件的封装结构，国内外研究机构和 企业在结构设计方面进行了大量的理论研究和开 发实践，多种结构封装设计理念被国内外研究机构提出并研究，一些结构设计方案已成功应用在商用功率器件上。 功率器件自身的属性及其特殊的服役环境决定了封装器件内部总是受到电场、热以及应力等多种场效应相互耦合的综合作用。功率器件的结 构设计，应首先要满足电气绝缘要求，在此基础上兼顾结构设计对封装散热、芯片及封装各部件间受 力等其他方面的影响。从器件散热的角度，封装结构设计应当遵循散热路径低热阻、尽可能多散热路径和传热路径上的接触面积尽可能大的原则。这就要求在设计之初，就应考虑到封装材料的选择、散热路径的设计、散热路径上各部件接触界面的面积等。但这些不可避免的增加了封装设计和工艺实现的难度，一种功率器件的封装实践往往是考虑多种因素的折中。从目前国内外对于功率器件的研究和开发现状来看，具备耐高温、多散热路径和大面积连接的封装特征是未来功率器件封装的发展趋势，也是满足未来高压、大功率器件工作性能要求的必然选择。 

功率器件QFN清洗：

针对各类半导体不同的封装工艺如功率器件QFN，为保证产品的可靠性， 研发多款自主知识产权专利清洗剂，针对不同工艺及应用的半导体封装需要的精密清洗要求， 在水基清洗方面开发了较为完整的水基系列产品，精细化对应涵盖从半导体封装到PCBA组件终端，包括有水基清洗剂和半水基清洗剂，碱性水基清洗剂和中性水基清洗剂等。具体表现在，在同等的清洗力的情况下， 的兼容性较佳，兼容的材料更为广泛;在同等的兼容性下， 的功率器件QFN清洗剂清洗的锡膏种类更多(测试过的锡膏品种有ALPHA、SMIC、INDIUM、SUPER-FLEX、URA、TONGFANG、JISSYU、HANDA、OFT、WTO等品牌;测试过的焊料合金包括SAC305、SAC307、6337、925等不同成分)，清洗速度更快，离子残留低、干净度更好。

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