分享:半导体刻蚀设备,刻蚀机和光刻机的区别

半导体刻蚀设备,刻蚀机和光刻机的区别

今天小编给大家分享一遍关于半导体刻蚀设备,刻蚀机和光刻机的区别,希望能对大家有所帮助!

刻蚀技术，是在半导体工艺，按照掩模图形或设计要求对半导体衬底表面或表面覆盖薄膜进行选择性腐蚀或剥离的技术。刻蚀技术不仅是半导体器件和集成电路的基本制造工艺，而且还应用于薄膜电路、印刷电路和其他微细图形的加工。刻蚀还可分为湿法刻蚀和干法刻蚀，相对应的设备分别为干法刻蚀设备和湿法刻蚀设备，其中干法刻蚀设备绝大部分为等离子体刻蚀。

不同类型刻蚀设备占比

刻蚀设备大致包括了干法刻蚀和湿法刻蚀两类，干法刻蚀设备在半导体刻蚀设备中占据主流、占比高达95%。硅干法刻蚀即等离子体刻蚀技术，相对于湿法刻蚀，具有更好的各向异性，工艺重复性，且能降低晶圆污染几率，因此成为了亚微米下制备半导体器件最主要的刻蚀方法。随着亚微米下制备半导体器件需求的增加，硅干法刻蚀技术也显得越来越重要。

刻蚀设备品牌有：SPTS、SCREEN.、AMAT、Oxford、北方华创、Lam Research、WONIK IPS、Tokyo Electron Limited、中微半导体、卡尔蔡司等。其中，各品牌比较受欢迎的产品型号有：

牛津仪器PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统

PlasmaPro 100 Polaris单晶圆刻蚀系统为得到更为精湛的刻蚀效果提供了智能解决方案，在行业中能保持竞争优势。同时，这款仪器具有高效的刻蚀速率、低购置成本、专为腐蚀性的化学成分而设计、出色的刻蚀均匀性、适用于蓝宝石的静电压盘技术、蓝宝石和硅上的GaN、高导通抽气系统、可与其它PlasmaPro系统集成等优点。

SPTS深硅刻蚀设备

SPTS作为世界顶尖的深硅刻蚀和牺牲层刻蚀设备的供应商，SPTS能够提供一系列的解决方案来满足客户的生产和开发要求。通过一系列的技术的开发，SPTS能为客户提供一系列的先进的工艺，比如功率MOSFET和200mm和300mm晶圆上的高端封装（3D封装和芯片级封装）。这款深硅刻蚀设备的主要应用包括: MEMS，先进封装（TSV）,功率器件等等。

等离子刻蚀机

经济型等离子刻蚀设备EtchLab 200具备 低成本效益高的特点，并且支持揭盖直接 放置样片。EtchLab 200允许通过载片器，实现多片工艺样品的快速装载，也可以直接快速地把样品装载在电极上。RIE等离子体刻蚀设备具备占地面积小， 模块化和灵活性等设计特点。

光刻机和蚀刻机是完全不同的两种设备，不论从功能还是结构上来说都是天差地别，光刻机是整个芯片制造过程中最为核心的设备，芯片的制程是由光刻机决定。具体区别如下：

1、工作原理

如果将光刻机和刻蚀机做一个比喻的话，刻蚀机像一个雕工，而光刻机像一个画工，其中画要比雕难得多。可以说两者一个是设计者，一个是执行者，整个芯片生产过程中，需要重复使用两种设备，直至将完整的电路图蚀刻到硅晶圆上为止。光刻机投影在硅片上一张精细的电路图(就像照相机让胶卷感光)，刻蚀机按这张图去刻线(就像刻印章一样，腐蚀和去除不需要的部分)。

2、结构：光刻机的最主要的核心技术就是光源和光路，其光源和光路的主要组成部分有四个，光源、曝光、检测、和其他高精密机械组成。对比之下，蚀刻机的结构组成就要简单很多，主要是等离子体射频源、反应腔室和真空气路等组成。

3、售价：ASML的EUV光刻机单台售价很高，蚀刻机的售价要低很多了。

4、工艺：刻蚀机是将硅片上多余的部分腐蚀掉,光刻机是将图形刻到硅片上。

5、难度：光刻机的难度和精度大于刻蚀机。

以上是关于半导体刻蚀设备,刻蚀机和光刻机区别的相关内容，希望能您你有所帮助！

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