埋入式封装基板的介绍与芯片封装基板清洗

埋入式封装基板 

埋入式基板技术诞生于消费类电子产品轻薄短小的发展趋势下。埋入式基板技术根据埋入的元器件种类，可大致分为无源元件埋入、有源器件埋入以及无源、有源混埋技术和Intel的嵌入式多核心互联桥接（embeddedmulti-dieinterconnectbridge，EMIB）技术。相比于传统的、将元器件全部焊接至PCB板表面的技术，元器件埋入基板技术[10]能够缩小元件间互连距离，提高信号传输速度，减少信号串扰、噪声和电磁干扰，提升电性能，降低模块大小，提高模块集成度，节省基板外层空间，提升器件连接的机械强度。对于实现高性能、高要求、小型化、薄型化的便携式电子设备具有非常重要的意义。

1 无源元件埋入基板技术 

无源元件埋入基板可大致分为平面埋入和分立式埋入两种。平面埋入[10]是使用电阻、电容材料通过压合、图形转移、化学蚀刻等方法，在绝缘基材上制作相应的电阻、电容图形。分立式埋入则是直接将超小尺寸无源器件埋入封装基板。无源器件埋入式基板诞生于20世纪70年代，最初无源器件埋入基板的实现基于低温共烧陶瓷基板技术，之后，得益于较低的成本和较简单的工艺，有机基板的无源元件埋入得到了快速发展。目前，有机基板埋入无源器件在国内外多家公司已实现量产，如IBM、Nortel、深南电路等。

 2 有源器件埋入基板技术

 有源元件埋入技术的概念最早在1960年被提出，Intel的无凸点积层多层法（bumplessbuild-uplayer，BBUL）技术的诞生标志着有源器件埋入基板技术的首次实现。按照芯片埋入的制程先后顺序，有源器件埋入基板技术可分为芯片先置型（chip-first）埋入技术和芯片后置型（chip-last）埋入技术。

芯片先置型埋入技术先将芯片埋入有机绝缘介质中，之后再制作电路图形以实现信号传输和电源供应。HUT提出的集成模块埋入基板（integratedmoduleboard，IMB）技术和IZM以及柏林工业大学共同提出的聚合物芯片埋入（chip-in-polymer）技术都属于芯片先置型埋入技术，这两种技术均可同时实现有源和无源元器件的埋入。图4是IMB技术的一个模型，将芯片放置在基板上预先制作好的芯片槽里，使用树脂将芯片塑封后，打孔、制作电路图形以实现互连。图5是chip-in-polymer技术的模型，区别于IMB技术将芯片放置在预先制作好的凹槽内，chip-in-polymer技术是将裸芯片直接粘贴在基板上，使用树脂包封芯片，再进行打孔、制作电路图形以实现电气互连。

芯片后置型埋入技术（chip-last）技术由佐治亚理工大学提出。图6是芯片后置型埋入技术的一个模型，它先制作build-up基板，在制作好的基板上开槽并制作好电路图形，将芯片放置在槽中，实现电气连接后再使用树脂填充芯片与槽体之间的间隙。

与芯片先置技术相比，chip-last技术埋入的芯片位于基板的最上层，可返工且散热更好，埋入芯片后没有其他基板增层工艺步骤，加工良率更高。但是芯片先置技术也有其优势，芯片后置技术埋入芯片只能埋入一层芯片，且埋入芯片的基板表面无法再贴装器件，因此芯片先置技术对基板空间纵向利用率较芯片后置技术更好。

芯片封装基板的助焊剂清洗剂:

半导体芯片封装过程中通常会使用助焊剂和锡膏等作为焊接辅料，这些辅料在焊接过程或多或少都会有部分残留物，还包括制程中沾污的指印、汗液、角质和尘埃等污染物。同时，半导体组装了铝、铜、铂、镍等敏感金属和油墨字符、电磁碳膜和特殊标签等相当脆弱的功能材料。这些敏感金属和特殊功能材料对清洗剂的兼容性提出了很高的要求。

合明半水基清洗工艺解决方案，可在清洗芯片封装基板的焊接残留物和污垢的同时去除金属界面高温氧化膜，保障下一道工序的金属界面结合强度；对芯片半导体基材、金属材料拥有优良的材料兼容性，清洗后易于用水漂洗干净。

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以上便是芯片封装基板清洗,封装基板的主要结构和生产技术的介绍，希望可以帮到您！