光刻机或将成为历史？麻省理工华裔：突破了常温条件下由二维（2D）材料制造成功的原子晶体管

目前的半导体芯片都是在晶圆上通过光刻/蚀刻等工艺加工出来的三维立体结构，所以堆叠多层晶体管以实现更密集的集成是非常困难的。

而且，现在先进制程工艺的发展似乎也在 1~3nm 这里出现了瓶颈，所以不少人都认为摩尔定律到头了

但是由超薄 2D 材料制成的半导体晶体管，单个只有 3 个原子的厚度，可以大量堆叠起来制造更强大的芯片。

正因如此，麻省理工学院的研究人员研发并展示了一种新技术，可以直接在硅芯片上有效地生成二维过渡金属二硫化物 (TMD) 材料层，以实现更密集的集成。

但是，直接将 2D 材料生成到硅 CMOS 晶圆上有一个问题，就是这个过程通常需要约 600 摄氏度的高温，但硅晶体管和电路在加热到 400 摄氏度以上时可能会损坏。

这次麻省理工学院（MIT）华裔研究生朱家迪等人的研究成果就是，开发出了一种不会损坏芯片的低温生成工艺，可直接将 2D 半导体晶体管集成在标准硅电路之上。

之前研究人员是先在其他地方生成 2D 材料，然后将它们转移到晶圆上，但这种方式通常会导致缺陷，进而影响设备和电路的性能，而且在转移 2D 材料时也非常困难。

相比之下，这种新工艺会直接在整个 8 英寸晶圆上生成出光滑、高度均匀的材料层。

其次就是能够显著减少生成 2D 材料所需的时间。以前的方法需要超过一天的时间来生成 2D 材料，新方法则将其缩短到了一小时内。

“使用二维材料是提高集成电路密度的有效方法。我们正在做的就像建造一座多层建筑。如果你只有一层，这是传统的情况，它不会容纳很多人。但是随着楼层的增加，大楼将容纳更多的人，从而可以实现惊人的新事物。” 

朱家迪在论文中这样解释，“由于我们正在研究的异质集成，我们将硅作为第一层，然后我们可以将多层 2D 材料直接集成在上面。”

随着 ChatGPT 的兴起，带动了人工智能产业的蓬勃发展，AI 的背后就需要强大的硬件算力支持，也就是芯片。

该技术不需要光刻机就可以使芯片轻松突破 1nm 工艺，也能大幅降低半导体芯片的成本，如果现阶段的光刻机技术无法突破 1nm 工艺的话，那么这种新技术将从光刻机手中拿走接力棒，届时光刻机也将走进历史~

“使用二维材料是提高集成电路密度的有效方法。我们正在做的就像建造一座多层建筑。如果你只有一层，这是传统的情况，它不会容纳很多人。但是随着楼层的增加，大楼将容纳更多的人，从而可以实现惊人的新事物。” 

朱家迪在论文中这样解释，“由于我们正在研究的异质集成，我们将硅作为第一层，然后我们可以将多层 2D 材料直接集成在上面。”

随着 ChatGPT 的兴起，带动了人工智能产业的蓬勃发展，AI 的背后就需要强大的硬件算力支持，也就是芯片。

该技术不需要光刻机就可以使芯片轻松突破 1nm 工艺，也能大幅降低半导体芯片的成本，如果现阶段的光刻机技术无法突破 1nm 工艺的话，那么这种新技术将从光刻机手中拿走接力棒，届时光刻机也将走进历史~

芯片封装清洗：

研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要，一旦选定，就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种，可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气，通电后发生电化学迁移，形成树枝状结构体，造成低电阻通路，破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层，在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物，还有粒状污染物，例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等，这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物，到底哪些才是最备受关注的呢？助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中，它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分，焊后必然存在热改性生成物，这些物质在所有污染物中的占据主导，从产品失效情况来而言，焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素，离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降，松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大，严重者导致开路失效，因此焊后必须进行严格的清洗，才能保障电路板的质量。

推荐使用 水基清洗剂产品。