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硅的限制与突破性的光子芯片、光子芯片清洗介绍

发布日期:2023-07-07 发布者: 浏览次数:3978

什么是光参量放大器?










通过改变传输系统中电容或光学材料的折射率特性,利用光纤和波导的三阶非线性也可以实现光信号放大,即光参量放大器。

与传统的光学跃迁放大器相比,其超宽的频谱覆盖范围是无与伦比的优势特征——参量放大器几乎可以在任何波长内实现宽带增益,并且这种增益完全取决于所用波导材料的色散特性,这使得参量放大器可以在传统增益介质无法覆盖的波长范围内实现增益。

参量放大器的另一个优势是:不受小输入信号的影响。这意味着它可以在同一光路中,既可以放大最微弱的信号,也可以放大最大的输入功率。因此,其增益谱可以通过波导的几何优化和色散工程来定制,这大大扩宽了其应用场景与目标波长的选定范围。
硅的限制与突破性的光子芯片
尽管基于光纤的光学参量放大器具有十分诱人的前景,但由于二氧化硅的弱克尔非线性导致其所需的泵浦功率非常高,使得放大器结构变得异常复杂。
相比之下,在过去的二十年中,集成光子平台如氮化硅(Si₃N₄)、AlGaAs、GaP、钽和硫族化物,在克尔非线性增强方面已取得了显著的成果。
然而,迄今为止,由于净增益只能通过使用脉冲光泵克服波导材料损耗来实现。因此,基于三阶非线性的连续行波光参量放大器,放大任意波长输入信号的能力还没有被证实。
研究团队将长为2 m的低损氮化硅螺旋线集成在一片3×5 mm的晶圆上,以形成超低损耗高集成度氮化硅光参量放大器,实物图如图2 a)所示。图2 b)与图2 c)分别为输入信号与放大后的输出信号。

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图2:光参量放大器

为验证制作的光参量放大器的性能,研究人员在信号波长范围为1260 nm~1630 nm内,测量光参量放大器波导材料的透射光谱、色散分布和损耗等参数,实验装置图如图3所示。

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图3:测试光路

实验结果表明,在氮化硅波导螺旋中,整个测试芯片总损耗低至10 dB,并且,信号实现增益的全带宽达到20 nm。数据显示,即使在考虑芯片上光传播损耗和光纤-芯片-光纤耦合损耗的情况下,整个系统也实现了高达2 dB的净参数增益。

这种放大器的应用领域近乎是无限的。可以将放大信号扩展到电信波段以外,中红外或可见光;到激光雷达或其他用于探测、感知经典或量子信号的应用。”

光子芯片封装清洗: 研发的水基清洗剂配合合适的清洗工艺能为芯片封装前提供洁净的界面条件。

水基清洗的工艺和设备配置选择对清洗精密器件尤其重要,一旦选定,就会作为一个长期的使用和运行方式。水基清洗剂必须满足清洗、漂洗、干燥的全工艺流程。

污染物有多种,可归纳为离子型和非离子型两大类。离子型污染物接触到环境中的湿气,通电后发生电化学迁移,形成树枝状结构体,造成低电阻通路,破坏了电路板功能。非离子型污染物可穿透PC B 的绝缘层,在PCB板表层下生长枝晶。除了离子型和非离子型污染物,还有粒状污染物,例如焊料球、焊料槽内的浮点、灰尘、尘埃等,这些污染物会导致焊点质量降低、焊接时焊点拉尖、产生气孔、短路等等多种不良现象。

这么多污染物,到底哪些才是最备受关注的呢?助焊剂或锡膏普遍应用于回流焊和波峰焊工艺中,它们主要由溶剂、润湿剂、树脂、缓蚀剂和活化剂等多种成分,焊后必然存在热改性生成物,这些物质在所有污染物中的占据主导,从产品失效情况来而言,焊后残余物是影响产品质量最主要的影响因素,离子型残留物易引起电迁移使绝缘电阻下降,松香树脂残留物易吸附灰尘或杂质引发接触电阻增大,严重者导致开路失效,因此焊后必须进行严格的清洗,才能保障电路板的质量。

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以上为本公司一些经验的累积,因工艺问题内容广泛,没有面面俱到,只对常见问题作分析,随着电子产业的不断更新换代,新的工艺问题也不断出现,本公司自成立以来不断的追求产品的创新,做到与时俱进,熟悉各种生产复杂工艺,能为各种客户提供全方位的工艺、设备、材料的清洗解决方案支持。

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